활성 표면 성장 메커니즘을 통해 기판 바인딩된 Au 나노 와이어의 합성

전형적인 1 차원 나노 소재, 나노 와이어 대량 관련 속성 및 나노 구조의 양자 효과에서 유래 하는 독특한 속성 보유. 나노와 대량 규모 재료 사이의 다리, 그들은 널리 적용 되었을 촉매, 나노 감지, 장치, 등등의 다양 한 분야에서. ^{1 , 2 , 3}.

그러나, 나노 와이어의 합성은 오랫동안 큰 도전, 그것은 보통 결정에서 본질적인 대칭을 깨는 필요로. 전통적으로, 재료의 증 착을 규제 하는 서식 파일 채택 된다. 예를 들어, 템플릿 electrodeposition Ag 나노 와이어 및 Cd 나노 와이어^{4,,56,7,8,9 같은 나노 와이어의 다양 한 종류의 형성에 대 한 사용 되었습니다. ,10}. 또 다른 일반적인 접근은 온도 상승된¹¹에서 기판에 이방성 성장을 유도 하는 녹은 촉매를 사용 하 여 증기-액체-고체 (VLS) 성장. 금속 나노 와이어의 합성에 대 한 일반적인 전략은 Ag 나노 와이어의 폴리올 메서드와 oleylamine 지원 ultrathin Au 나노 와이어^12,13,,1415. 두 방법 모두 자료 관련, 그리고 나노와이어 매개 변수는 합성 하는 동안 쉽게 튜닝 되지 않는. 또한, 금속 나노 와이어 또한 압력 기반 방법, 조립된 금속 나노 기계적으로 압축 및 나노 와이어^16,,1718에 융합에 의해 형성 수 있습니다.

최근에, 우리는 합성 Au 나노 와이어¹⁹에 독특한 방법 보고. Thiolated 작은 분자 ligand의 지원,은 나노 와이어 성장 하 고 대량 주변 조건에서 Si 웨이퍼 기판에 수직으로 정렬 된 배열 형성 수 있습니다. ligands 대칭 끊기 성장에 중요 한 역할을 재생을 발견 했다. Au 기판 흡착 씨앗의 표면에 그것은 강하게, 씨와 기판 사이의 ligand 불충분 한 인터페이스에서 선택적으로 예금 하는 누구나 강제로 바인딩합니다. 새로 입금된 Au와 기판 사이의 인터페이스 남아 ligand 결핍, 활성 표면 전체 성장에 걸쳐 존재 하는 따라서. Ligand 농도, 씨앗 종류 및 농도 뿐만 아니라 다른 여러 매개 변수를 조정, Au 나노와이어 기반 nanostructures의 시리즈를 합성 수 있습니다.

이 작품에서는, 우리이 편리한 Au 나노 와이어 합성에 대 한 상세한 프로토콜을 제공 합니다. 파생된 합성도 제시, 두 개의 ligands 및 성장 조정에 의해 형성 된 나노와이어 기반 Au nanostructures를 혼합 하 여 소수 성 표면 속성, 다른 기판에 Au 나노 와이어, 테이퍼 Au 나노 와이어 Au 나노 와이어의 합성을 포함 하 여 조건입니다.