Summary

Real-Time DC-dinámico Método de polarización de conmutación Tiempo Mejoras en Severamente Subamortiguado Fleco campo electrostático MEMS actuadores

Published: August 15, 2014
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Summary

El diseño robusto dispositivo de franja de campos electrostáticos actuadores MEMS resultados en condiciones de amortiguación de compresión de película inherentemente bajos y largos tiempos de sedimentación cuando se realizan operaciones de conmutación que utilizan polarización paso convencional. Conmutación mejora el tiempo con formas de onda DC-dinámicos en tiempo real reduce el tiempo de establecimiento de franjas de campo MEMS actuadores de paso de una puesta al abajo y abajo-a-arriba estados.

Abstract

Mecánicamente MEMS electrostático franja de campo Subamortiguado actuadores son bien conocidos por su operación de conmutación rápida en respuesta a una tensión de polarización de entrada escalón unitario. Sin embargo, la desventaja para el rendimiento de la conmutación mejorado es un tiempo relativamente largo para llegar a la solución de cada altura de vacío en respuesta a diversos voltajes aplicados. Transitoria aplicada se emplean ondas de polarización para facilitar tiempos de conmutación reducidas para electrostáticas MEMS franja de campo actuadores con factores mecánicos de alta calidad. Extracción del sustrato subyacente del actuador franja de campo crea el entorno de baja amortiguación mecánica necesaria para probar de manera efectiva el concepto. La eliminación del sustrato subyacente también tiene una mejora sustancial en el rendimiento de fiabilidad del dispositivo en cuanto a fallo debido a la fricción estática. Aunque polarización DC-dinámico es útil para mejorar el tiempo de asentamiento, las velocidades de respuesta requeridos para los dispositivos típicos de MEMS pueden colocar requisitos agresivos en el cargo pumps para totalmente integrados diseños en el chip. Además, puede haber desafíos que integran la etapa de eliminación del sustrato en los pasos de procesamiento CMOS comerciales back-end de línea. Validación experimental de actuadores fabricados demuestra una mejora de 50x en tiempo de conmutación cuando se compara a los resultados del paso de desviación convencionales. En comparación con los cálculos teóricos, los resultados experimentales están en buen acuerdo.

Introduction

Sistemas microelectromecánicos (MEMS) utilizan varios mecanismos de actuación para lograr el desplazamiento mecánico. Los más populares son térmico, piezoeléctrico, magnetostática y electrostática. Por corto tiempo de conmutación, activación electrostática es la técnica más popular 1, 2. En la práctica, los diseños mecánicos críticamente amortiguados-ofrecen el mejor compromiso entre tiempo de subida inicial y el tiempo de establecimiento. Al aplicar la polarización de CC y el accionamiento de la membrana hacia el electrodo desplegable, el tiempo de establecimiento no es un problema importante ya que la membrana se ajustará hacia abajo y se adhieren al electrodo de accionamiento recubierto dieléctrico. Varias aplicaciones se han beneficiado con el diseño de actuación electrostática mencionado 3-8. Sin embargo, la presencia del electrodo desplegable revestida dieléctrico hace que el actuador susceptible a la carga dieléctrica y la fricción estática.

Membranas MEMS pueden utilizar una underdamped diseño mecánico para lograr un tiempo de subida inicial rápida. Un ejemplo de un diseño mecánico subamortiguado es el halo-campo electrostático accionado (EFFA) MEMS. Esta topología ha mostrado mucho menos vulnerabilidad a los mecanismos de falla típicos que afectan a los diseños basados ​​electrostáticas 9-20. La ausencia del electrodo contador en paralelo y en consecuencia el campo eléctrico paralelo es por qué estos MEMS están apropiadamente llamados "halo-campo" accionado (Figura 1). Para el diseño EFFA, el electrodo desplegable se divide en dos electrodos separados que se colocan desplazado lateralmente a la membrana en movimiento, eliminando por completo el solapamiento entre las partes móviles y estacionarias del dispositivo. Sin embargo, la eliminación del sustrato de debajo de la membrana móvil reduce significativamente la película de compresión de amortiguación componente que aumenta el tiempo de establecimiento. Figura 2B es un ejemplo de el tiempo de establecimiento en respuesta a standard paso de desviación. Transitorio, o DC-dinámico de empuje aplicadas en tiempo real se puede utilizar para mejorar el tiempo de establecimiento 20-26. Figuras 2C y 2D ilustran cualitativamente cómo una forma de onda variando el tiempo puede cancelar eficazmente el zumbido. Los esfuerzos de investigación anteriores utilizan métodos numéricos para calcular la tensión precisa y tiempos de la polarización de entrada para mejorar el tiempo de conmutación. El método en este trabajo utiliza expresiones de forma cerrada compactos para calcular los parámetros de forma de onda de polarización de entrada. Además, el trabajo previo se centró en la placa de accionamiento paralelo. Mientras que las estructuras están diseñadas para ser subamortiguado, amortiguación de compresión de película está disponible en esta configuración. El método de actuación se presenta en este trabajo es que franja campo de actuación. En esta configuración de amortiguación de compresión de película se elimina de manera efectiva. Esto representa un caso extremo en que la amortiguación mecánica del haz de MEMS es muy bajo. Este artículo describe cómo fabricar el dev EFFA MEMShielos y realizar la medición para validar experimentalmente el concepto de forma de onda.

Protocol

1. Fabricación de EFFA MEMS fijo-fijo Vigas (Ver Figura 3 para el proceso Resumido) Litografía UV y grabado químico húmedo de dióxido de silicio con ácido fluorhídrico tamponado (PRECAUCIÓN 27). Utilice un sustrato de silicio de baja resistividad oxidado. Llene un vaso de vidrio con acetona 28 (suficiente para sumergir la muestra), colocar la muestra en el vaso de precipitados lleno de acetona, y se somete a ultrasonidos durante 5 minutos en un baño de ultraso…

Representative Results

La configuración en la Figura 4 se utiliza para capturar la deflexión frente a las características de tiempo de los puentes MEMS. Al utilizar el vibrómetro de láser Doppler en su modo de medición continua, los parámetros precisos de tensión y de tiempo se pueden encontrar para dar lugar a la oscilación del haz mínimo para la altura de separación deseada. Figura 5 ilustra un ejemplo de deflexión de haz que corresponde a la altura de la rendija 60 V. Se observa que prácticame…

Discussion

Baja tensión residual Au deposición de la película y una liberación en seco con XeF 2 son componentes críticos en la fabricación exitosa del dispositivo. Actuadores franja de campos electrostáticos proporcionan fuerzas relativamente bajas en comparación con los impulsores de campo de placas paralelas. MEMS típicas tensiones de película delgada de> 60 MPa darán lugar a tensiones de activación excesivamente altos que potencialmente pueden poner en peligro la fiabilidad de EFFA MEMS. Por esta raz?…

Disclosures

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

Los autores desean agradecer a Ryan Tung por su asistencia y discusiones técnicas útiles.

Los autores también desean agradecer la ayuda y el apoyo del personal técnico Birck Centro de Nanotecnología. Este trabajo fue apoyado por la Agencia de Proyectos de Investigación Avanzada de Defensa bajo la Purdue Microondas Reconfigurable evanescente-Mode Cavidad Filtros Estudio. Y también por el Centro de Predicción de la NNSA fiabilidad, integridad y supervivencia de Microsystems y el Departamento de Energía bajo Premio número DE-FC5208NA28617. Los puntos de vista, opiniones y / o conclusiones contenidas en este documento / presentación son las de los autores / presentadores y no deben interpretarse como representación de los puntos de vista ni las políticas oficiales, ya sea expresa o implícita, de la Agencia de Proyectos de Investigación Avanzada de Defensa o el Departamento de Defensa.

Materials

Chemical Company Catalogue number Comments (optional)
Buffered oxide etchant Mallinckrodt Baker 1178 Silicon dioxide etch, Ti etch
Acetone Mallinckrodt Baker 5356 wafer clean
Isopropyl alcohol Honeywell BDH-140 wafer clean
Hexamethyldisilizane Mallinckrodt Baker 5797 adhesion promoter
Microposit SC 1827 Positive Photoresist Shipley Europe Ltd 44090 Pattern, electroplating
Microposit MF-26A developer Shipley Europe Ltd 31200 Develop SC 1827
Tetramethylammonium hydroxide Sigma-Aldrich 334901 Bulk Si etch
Hydrofluroic acid Sciencelab.com SLH2227 Silicon dioxide etch
Sulfuric acid Sciencelab.com SLS2539 wafer clean
Hydrogen peroxide Sciencelab.com SLH1552 Wafer clean
Transene Sulfite Gold TSG-250 Transense 110-TSG-250 Au electroplating solution
Baker PRS-3000 Positive Resist Stripper Mallinckrodt Baker 6403 Photoresist stripper
Gold etchant type TFA Transense 060-0015000 Au etch

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Small, J., Fruehling, A., Garg, A., Liu, X., Peroulis, D. Real-Time DC-dynamic Biasing Method for Switching Time Improvement in Severely Underdamped Fringing-field Electrostatic MEMS Actuators. J. Vis. Exp. (90), e51251, doi:10.3791/51251 (2014).

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