Burada, perovskit güneş hücrelerinde elektron taşıma tabakası olarak kullanılmak üzere farklı oksijen akış hızları ile reaktif püskürtme ile niobyum oksit filmleri birikimi için bir protokol sunuyoruz.
Reaktif püskürtme mükemmel homojenlik ile kompakt filmler oluşturmak için kullanılan çok yönlü bir tekniktir. Buna ek olarak, bileşimve böylece film gerekli özellikleri değişikliklere neden gaz akış hızı gibi biriktirme parametreleri üzerinde kolay kontrol sağlar. Bu raporda, reaktif püskürtme niobium oksit filmleri yatırmak için kullanılır. Bir niyon hedef metal kaynağı ve farklı oksijen akış oranları niobium oksit filmleri yatırmak için kullanılır. Oksijen akış hızı 3’ten 10 sccm’ye değiştirildi. Düşük oksijen akış hızları altında biriken filmler daha yüksek elektriksel iletkenlik göstermek te ve elektron taşıma katmanı olarak kullanıldığında daha iyi perovskit güneş pilleri sağlar.
Püskürtme tekniği yaygın olarak yüksek kaliteli filmler yatırmak için kullanılır. Aynı zamanda mekanik özellikleri nin iyileştirilmesi için yüzey kaplama kullanılan rağmen ana uygulama, yarı iletken sektöründe, ve yansıtıcı katmanları1. Püskürtmenin en büyük avantajı farklı yüzeylerin üzerine farklı malzemeler yatırma imkanıdır; iyi tekrarlanabilirlik ve biriktirme parametreleri üzerinde kontrol. Püskürtme tekniği, kimyasal buhar birikimi (CVD), moleküler ışın epitaksisi (MBE) ve atomik tabaka birikimi (ALD) gibi diğer biriktirme yöntemleriile karşılaştırıldığında, geniş alanlar üzerinde iyi yapışma ve düşük maliyetli homojen filmlerin birikmesine olanak sağlar 1,2. Genellikle, yarı iletken filmler püskürtme tarafından yatırılan amorf veya polikristalin, ancak, püskürtme tarafından epitaksial büyüme bazı raporlar vardır3,4. Bununla birlikte, püskürtme işlemi son derece karmaşık ve parametre aralığı geniş5, bu nedenle yüksek kaliteli filmler elde etmek için, sürecin iyi bir anlama ve parametre optimizasyonu her malzeme için gereklidir.
Fışkırtma tarafından niyobyum oksit filmlerin birikimi hakkında raporlama çeşitli makaleler vardır, yanı sıra niyobyum niyobyan6 ve niyobyum karbür7. Nb-oksitler arasında, niyobyum pentoksit (Nb2O5)geniş polimorfizm sergileyen şeffaf, hava kararlı ve suda çözünmez bir malzemedir. Bu 3,1 ila 5,3 eV arasında değişen bant boşluğu değerleri ile bir n-tipi yarı iletken, bu oksitler uygulamaları geniş bir yelpazede veren8,9,10,11,12,13 ,14,15,16,17,18,19. Nb2O5, karşılaştırılabilir elektron enjeksiyon verimi ve titanyum dioksitle karşılaştırıldığında daha iyi kimyasal stabilitesi nedeniyle perovskit güneş hücrelerinde kullanılacak umut verici bir malzeme olarak büyük ilgi çekmiştir (TiO2). Buna ek olarak, Nb2O5 bant boşluğu hücrelerin açık devre gerilimi artırabilir (Voc)hücrelerin 14.
Bu çalışmada, Nb2O5 farklı oksijen akış hızları altında reaktif püskürtme ile yatırıldı. Düşük oksijen akış hızlarında, filmlerin iletkenliği doping kullanılmadan artırıldı, bu da sistemde kirlere yol açan. Bu filmler perovskit güneş hücrelerinde elektron taşıma katmanı olarak kullanılmıştır ve bu hücrelerin performansını arttırdı. Oksijen miktarının azaltılmasının oksijen boşluklarının oluşumunu tetiklediği ve bu da güneş hücrelerine giden filmlerin iletkenliğini daha iyi verimlilikle arttırdığı bulunmuştur.
Bu çalışmada hazırlanan niyonoksit filmleri perovskit güneş hücrelerinde elektron taşıma tabakası olarak kullanılmıştır. Bir elektron taşıma katmanı için gerekli olan en önemli özellik, rekombinasyon, delikleri bloke etme ve etkin elektronların aktarılmasını önlemektir.
Bu bakımdan yoğun ve kompakt filmler ürettiği için reaktif püskürtme tekniğinin kullanımı avantajlıdır. Ayrıca, daha önce de belirtildiği gibi, sol-jel ile karşılaştırıldığında, a…
The authors have nothing to disclose.
Çalışma Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP), Centro de Desenvolvimento de Materiais Cerâmicos (CDMF- FAPESP Nº 2013/07296-2, 2017/11072-3, 2013/09963-6 ve 2017/18916-2). PL ölçümleri için Profesör Máximo Siu Li’ye özel teşekkür.
2-propanol | Merck | 67-63-0 | solvent with maximum of 0.005% H2O |
4-tert-butylpyridine | Sigma Aldrich | 3978-81-2 | chemical with 96% purity |
acetonitrile | Sigma Aldrich | 75-05-8 | anhydrous solvent , 99.8% purity |
bis(trifluoromethane)sulfonimide lithium salt | Sigma Aldrich | 90076-65-6 | chemical with ≥99.95% purity |
chlorobenzene | Sigma Aldrich | 108-90-7 | anhydrous solvent , 99.8% purity |
ethanol | Sigma Aldrich | 200-578-6 | solvent |
Fluorine doped tin oxide (SnO2:F) glass substrate | Solaronix | TCO22-7/LI | substrate to deposit films |
Kaptom tape | Usinainfo | 04227 | thermal tape used to cover the substrates |
Kurt J Lesker magnetron sputtering system | Kurt J Lesker | —— | Sputtering equipment used to deposit compact films |
Lead (II) iodide | Alfa Aesar | 10101-63-0 | PbI2 salt- 99.998% purity |
methylammonium iodide | Dyesol | 14965-49-2 | CH3NH3I salt |
N2,N2,N2′,N2′,N7,N7,N7′,N7′-octakis (4-methoxyphenyl)-9,9′-spirobi [9H-fluorene]-2,2′,7,7′-tetramine | Sigma Aldrich | 207739-72-8 | Spiro-OMeTAD salt, 99% purity |
Niobium target of 3” | CBMM- Brazilian Metallurgy and Mining Company | —— | niobium sputtering target used in the sputtering system |
N-N dimethylformamide | Merck | 68-12-2 | solvent with maximum of 0.003% H2O |
TiO2 paste | Dyesol | DSL 30NR-D | titanium dioxide paste |
tris(2-(1H-pyrazol-1-yl)-4-tert-butylpyridine)cobalt(III) tri[bis(trifluoromethane)sulfonimide] | Dyesol | 329768935 | FK 209 Co(III) TFSL salt |