Summary

Активная зондовая атомно-силовая микроскопия с кватропараллельными кантилевеверными решетками для высокопроизводительного крупномасштабного контроля образцов

Published: June 13, 2023
doi:

Summary

Крупномасштабный контроль образцов с наноразмерным разрешением имеет широкий спектр применения, особенно для наноготовых полупроводниковых пластин. Атомно-силовые микроскопы могут быть отличным инструментом для этой цели, но они ограничены скоростью визуализации. В этой работе используются параллельные активные консольные массивы в АСМ для обеспечения высокой пропускной способности и крупномасштабных проверок.

Abstract

Атомно-силовой микроскоп (АСМ) является мощным и универсальным инструментом для наноразмерных исследований поверхности для получения 3D-изображений топографии образцов. Однако из-за ограниченной пропускной способности АСМ не получили широкого распространения для крупномасштабных инспекций. Исследователи разработали высокоскоростные системы АСМ для записи видео динамических процессов химических и биологических реакций с частотой в десятки кадров в секунду за счет небольшой площади изображения до нескольких квадратных микрометров. Напротив, для контроля крупномасштабных наноструктур, таких как полупроводниковые пластины, требуется наноразмерная визуализация статического образца с пространственным разрешением на сотнях квадратных сантиметров с высокой производительностью. В обычных АСМ используется один пассивный консольный зонд с оптической системой отклонения луча, который может собирать только один пиксель за раз во время АСМ-визуализации, что приводит к низкой пропускной способности. В этой работе используется массив активных консолей со встроенными пьезорезистивными датчиками и термомеханическими приводами, что позволяет одновременно работать в нескольких кантилеверах параллельно для повышения производительности визуализации. В сочетании с нанопозиционерами большого радиуса действия и соответствующими алгоритмами управления каждым кантилевером можно управлять индивидуально для получения нескольких АСМ-изображений. С помощью алгоритмов постобработки на основе данных изображения могут быть сшиты вместе, а обнаружение дефектов может быть выполнено путем сравнения их с желаемой геометрией. В этом документе представлены принципы пользовательской АСМ с использованием активных консольных решеток, за которыми следует обсуждение практических соображений эксперимента для применения в инспекционных приложениях. Выбранные примеры изображений кремниевой калибровочной решетки, высокоориентированного пиролитического графита и масок для литографии в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне получены с помощью массива из четырех активных консолей («Quattro») с расстоянием между зондами 125 мкм. Благодаря большей инженерной интеграции этот высокопроизводительный крупномасштабный инструмент визуализации может предоставлять 3D-метрологические данные для масок в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне (EUV), химико-механической планаризации (CMP), анализа отказов, дисплеев, тонкопленочных ступенчатых измерений, матриц для измерения шероховатости и канавок для сухих газовых уплотнений с лазерной гравировкой.

Introduction

Атомно-силовые микроскопы (АСМ) могут получать 3D-изображения топографии с наноразмерным пространственным разрешением. Исследователи расширили возможности АСМ для создания карт свойств образцов в механической, электрической, магнитной, оптической и тепловой областях. В то же время повышение пропускной способности визуализации также находится в центре внимания исследований по адаптации АСМ к новым экспериментальным потребностям. Существует две основные области применения высокопроизводительной АСМ визуализации: первая категория – это высокоскоростная визуализация небольшой области для регистрации динамических изменений в образце, вызванных биологическими или химическими реакциями 1,2; Вторая категория – это высокопространственное разрешение, крупномасштабное изображение статических образцов во время контроля, которое подробно рассмотрено в данной работе. В связи с тем, что размер транзисторов уменьшается до наномасштаба, полупроводниковая промышленность остро нуждается в высокопроизводительных АСМ для проверки наноустройств на уровне пластин с наноразмерным пространственным разрешением3.

Определение характеристик наноустройств на пластине может быть сложной задачей из-за огромной разницы в масштабе между характеристиками пластины и транзистора. Крупные дефекты могут быть обнаружены с помощью оптических микроскоповавтоматически4. Кроме того, сканирующие электронные микроскопы (СЭМ) широко используются для контроля размером до десятков нанометров в 2D5. Для получения 3D-информации и более высокого разрешения АСМ является более подходящим инструментом, если его пропускная способность может быть улучшена.

При ограниченной пропускной способности визуализации один из подходов заключается в получении изображений выбранных областей пластин, где с большей вероятностью возникнут дефекты нанопроизводства6. Это потребует предварительных знаний о процессе проектирования и изготовления. В качестве альтернативы возможно комбинирование других модальностей, таких как оптический микроскоп или РЭМ, с АСМ для обзора и масштабирования 7,8. Для правильного выравнивания системы координат между инструментами изготовления и определения характеристик необходима широкодиапазонная высокоточная система позиционирования. Кроме того, для реализации этой функциональности необходима автоматизированная система АСМ для получения изображений различных выбранных областей.

В качестве альтернативы исследователи исследовали различные способы увеличения скорости сканирования АСМ. Поскольку обеспечение высокой пропускной способности АСМ является систематической проблемой прецизионных приборов, исследователи исследовали различные методы, в том числе использование датчиков АСМ меньшего размера, перепроектирование широкополосных нанопозиционеров 9,10,11,12 и управляющей электроники13, оптимизацию режимов работы, алгоритмы управления изображениями 14,15,16,17 и так далее. Благодаря этим усилиям эффективная относительная скорость наконечника и образца может быть увеличена максимум до десятков миллиметров в секунду для коммерчески доступных систем АСМ с одним зондом.

Для дальнейшего повышения производительности визуализации естественным решением является добавление нескольких датчиков для параллельной работы. Тем не менее, система оптического отклонения луча (OBD), используемая для измерения отклонения кантилевера, является относительно громоздкой, что делает добавление нескольких датчиков относительно сложной задачей. Индивидуальное управление прогибом консоли также может быть трудно реализовать.

Чтобы преодолеть это ограничение, предпочтение отдается встроенным принципам считывания и приведения в действие без громоздких внешних компонентов. Как подробно описано в ранее опубликованных отчетах18,19, измерение отклонения с пьезорезистивным, пьезоэлектрическим и оптомеханическим принципами можно рассматривать как встроенное зондирование, причем первые два являются более совершенными и простыми в реализации. Для встраиваемого привода могут использоваться как термомеханические с электрическим нагревом, так и пьезоэлектрические принципы. Несмотря на то, что пьезоэлектрические принципы могут работать в более широком диапазоне температур вплоть до криогенных сред, они могут поддерживать только работу АСМ в режиме отвода, поскольку статическое отклонение не может быть измерено из-за утечки заряда и статического срабатывания, страдающего гистерезисом и ползучестью. В предыдущих работах были разработаны активные консольные зонды, использующие пьезорезистивный датчик и пьезоэлектрический датчик для получения изображений больших диапазонов20,21, но они не были дополнительно масштабированы для крупномасштабных изображений или коммерциализированы. В данной работе комбинация пьезорезистивного зондирования и термомеханического срабатывания выбрана в качестве встроенных преобразователей с возможностью контроля статического отклонения.

В данной работе в качестве зонда23 для одновременной визуализации с использованием активных кантилеверов используется новая параллельная активная консольная решетка “Quattro”22. Для измерения прогиба кантилевера пьезорезистивные датчики в конфигурации моста Уитстона19 наноизготовлены в основании каждого микрокантилевера для измерения внутреннего напряжения, которое линейно пропорционально отклонению кончика кантилевера. Этот компактный встраиваемый датчик также может достигать субнанометрового разрешения, как и обычный датчик OBD. Управляющее уравнение выходного напряжения моста Уитстона Uна выходев ответ на приложенную силу F или прогиб кантилевера z показано в уравнении 119 для консоли длиной L, шириной W и толщиной H, коэффициентом пьезорезистивного датчика PR и эффективным модулем упругости напряжения питания моста кантилевера E Ub.

Equation 1(1)

Поскольку для неинвазивной визуализации предпочтительна работа в динамическом постукивании/бесконтактном режиме, чтобы избежать нарушения образца, для нагрева биморфного кантилевера, изготовленного из алюминиевого сплаваалюминия и магния 24, кремния и материалов оксида кремния, используется термомеханический привод, изготовленный из алюминиево-магниевого сплава 24. В микроскопическом масштабе постоянная времени тепловых процессов значительно меньше, а консольный резонанс на частоте от десятков до сотен килогерц можно возбудить, управляя нагревателем электрическим сигналом. Свободный торцевой прогиб кантилевера zh, контролируемый относительной температурой нагревателя ΔT , показан в уравнении 219для длины кантилевера L с постоянным K, зависящим от термокоэффициента расширения биморфного материала, а также геометрической толщины и площади. Следует отметить, что ΔT пропорциональна мощности нагревателя P, которая равна квадрату приложенного напряжения V , деленного на его сопротивление R.

Equation 2(2)

Дополнительным преимуществом является то, что в дополнение к резонансному возбуждению можно контролировать статическое отклонение. Это может быть особенно полезно для регулирования взаимодействия зонда и образца каждого кантилевера в отдельности. Кроме того, несколько кантилеверов на одном базовом чипе могут возбуждаться по отдельности с помощью встроенного термомеханического привода, что невозможно при обычном резонансном возбуждении пьезогенерируемыми акустическими волнами.

Сочетая пьезорезистивное зондирование и термомеханическое управление, активный консольный зонд обеспечивает широкий спектр применений, включая совмещенную микроскопию AF в SE-микроскопии, визуализацию в непрозрачной жидкости и сканирующую зондовую литографию, более подробная информация доступна в обзоре25. Для высокопроизводительного контроля активная консольная решетка создается с репрезентативным примером реализации АСМ с четырьмя параллельными консолями, как показано на рисунке 1. В перспективе будет разработана система промышленного масштаба с использованием восьми параллельных активных консолей и десятков позиционеров28. Чтобы проиллюстрировать масштаб на примере, при пространственном разрешении в плоскости 100 нм, изображение области 100 мм на 100 мм даст более 106 строк развертки и 1012 пикселей. При скорости сканирования 50 мм/с на одну консоль это потребовало бы в общей сложности более 555,6 ч сканирования (23+ дня) для одного кантилевера, что слишком долго, чтобы быть практически полезным. Используя технологию активной консольной решетки с десятками позиционеров, требуемое время визуализации может быть сокращено примерно на два порядка до 5-10 ч (менее половины дня) без каких-либо компромиссов с разрешением, которое является разумным сроком для целей промышленного контроля.

Для получения изображений большой площади с высоким разрешением также модернизирована система нанопозиционирования. Для получения изображений больших образцов в масштабе пластины предпочтительно сканировать зонд, а не образец, чтобы уменьшить размер перемещаемых объектов. При расстоянии между активными кантилеверами 125 мкм сканер покрывает площадь, немного превышающую этот диапазон, чтобы изображения с каждой консоли можно было сшить вместе во время постобработки. По завершении сканирования грубый позиционер автоматически перемещает датчик в новую соседнюю область для продолжения процесса визуализации. В то время как встроенный термомеханический привод регулирует отклонение каждой консоли, усредненный прогиб всех параллельных консолей регулируется с помощью другого пропорционально-интегрально-дифференциального (ПИД) регулятора, чтобы помочь консолям во время отслеживания топографии. Контроллер сканера также следит за тем, чтобы изгиб каждой консоли не превышал максимального порогового значения, что может привести к потере контакта других датчиков с поверхностью, если изменение рельефа слишком велико.

Уровень вариации топографии, который может быть отслежен для консолей на одной и той же базовой микросхеме, должен быть ограничен, так как диапазон регулирования статического отклонения кантилевера составляет порядка десятков микрон. Для полупроводниковых пластин вариации топографии образца обычно находятся в субмикронном масштабе, поэтому они не должны быть большой проблемой. Однако при добавлении большего количества консолей наклон плоскости образца по отношению к линии консолей может стать проблемой. На практике восемь параллельных консолей с шагом около 1 мм по-прежнему обеспечивают угол наклона 1°, в то время как добавление большего количества консолей может затруднить реализацию управления наклоном. Таким образом, использование нескольких групп восьмикантолеверных зондов, размещенных на отдельных измерительных сканерах, является постоянной попыткой полностью реализовать потенциал параллельного активного кантилевера.

После сбора данных необходима операция постобработки для получения нужной информации. Этот процесс, как правило, включает в себя удаление артефактов сканирования, сшивание смежных изображений для формирования общей панорамы и, при необходимости, идентификацию дефектов структуры путем сравнения их с желаемой геометрией с использованием подходящих алгоритмов26. Стоит отметить, что объем накопленных данных может быть огромным для большого диапазона изображений, и для более эффективной обработки также разрабатываются алгоритмы обучения, основанные наданных27.

В данной статье показан общий процесс получения АСМ изображений высокого разрешения с использованием параллельной активной консольной решетки, интегрированной в пользовательскую систему АСМ. Подробная реализация системы доступна в 22,28,29,30, и она коммерциализируется с номером модели, указанным в таблице материалов. Все четыре консоли работали в режиме врезания, возбуждаемого встроенным тепломеханическим приводом. Для иллюстрации эффективности этого нового инструмента АСМ для контроля больших площадей представлены репрезентативные результаты на калибровочных образцах, масках для наноизготовления и образцах высокоориентированного пиролитического графита (ХОПГ) (см. таблицу материалов).

Protocol

1. Подготовка образцов для крупномасштабного контроля Подготовьте образец подходящего размера для АСМ (см. Таблицу материалов).ПРИМЕЧАНИЕ: Пластинчатые образцы с диаметром в плоскости от 75 мм до 300 мм и ожидаемым отклонением высоты вне плоскости менее 200 мкм мо?…

Representative Results

Чтобы продемонстрировать эффективность АСМ широкодиапазонной визуализации с использованием параллельных активных кантилеверов для получения топографической визуализации, на рисунке 2 показаны сшитые изображения калибровочной решетки, сделанные четырьмя кантилеве…

Discussion

Как показано в репрезентативных результатах, активная консольная матрица может быть использована для параллельного захвата нескольких изображений статического образца. Эта масштабируемая установка может значительно повысить производительность визуализации образцов большой площа…

Disclosures

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

Авторы Иво В. Ранглоу и Томас Заттель выражают благодарность Федеральному министерству образования и научных исследований Германии (BMBF) и Федеральному министерству экономики и борьбы с изменением климата Германии (BMWK) за поддержку части представленных методов путем финансирования проектов FKZ:13N16580 «Активные зонды с алмазным наконечником для квантовой метрологии и нанопроизводства» в рамках исследовательского направления KMU-innovativ: «Фотоника и квантовые технологии» и KK5007912DF1 «Конъюнктивный нанопозиционер-сканер для быстрых и крупных метрологических задач в атомно-силовой микроскопии» в рамках Центральной инновационной программы для малых и средних предприятий (ЗИМ). Часть работы, представленной здесь, была профинансирована Седьмой рамочной программой Европейского Союза FP7/2007-2013 в рамках Соглашения о гранте No 318804 «Однонанометровое производство: за пределами КМОП». Авторы Иво В. Ранглоу и Эберхард Манске выражают признательность Немецкому научно-исследовательскому обществу (DFG) за поддержку в рамках научно-исследовательской учебной группы «Tip- и laser-based 3D-Nanofabrication in extended macroscopic working areas» (GRK 2182) в Техническом университете Ильменау, Германия.

Materials

Active-Cantilever  nano analytik GmbH AC-10-2012 AFM Probe
E-Beam EBX-30, INC 012323-15 Mask patterning instrument
Highly Oriented Pyrolytic Graphite – HOPG TED PELLA, INC 626-10 AFM calibration sample
Mask Sample Nanda Technologies GmbH Test substrate EUV Mask Sample substrate
NANO-COMPAS-PRO  nano analytik GmbH 23-2016 AFM Software
nanoMetronom 20 nano analytik GmbH 1-343-2020 AFM Instrument

References

  1. Ando, T. High-speed atomic force microscopy and its future prospects. Biophysical Reviews. 10 (2), 285-292 (2018).
  2. Soltani Bozchalooi, I., Careaga Houck, A., AlGhamdi, J. M., Youcef-Toumi, K. Design and control of multi-actuated atomic force microscope for large-range and high-speed imaging. Ultramicroscopy. 160, 213-224 (2016).
  3. Sohn, Y., Ryu, S., Yang, Y. Semiconductor technology challenges in high volume manufacturing of semiconductors. Microscopy and Microanalysis. 28, 800-801 (2022).
  4. Ebayyeh, A. A. R. M. A., Mousavi, A. A review and analysis of automatic optical inspection and quality monitoring methods in electronics industry. IEEE Access. 8, 183192-183271 (2020).
  5. Nakamae, K. Electron microscopy in semiconductor inspection. Measurement Science and Technology. 32 (5), 052003 (2021).
  6. Nduhura-Munga, J., et al. A literature review on sampling techniques in semiconductor manufacturing. IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 26 (2), 188-195 (2013).
  7. Zhang, T., et al. Correlative AFM and scanning microlens microscopy for time-efficient multiscale imaging. Advanced Science. 9 (12), 2103902 (2022).
  8. Holz, M., et al. Correlative microscopy and nanofabrication with AFM integrated with SEM. Microscopy Today. 27 (6), 24-30 (2019).
  9. Yang, C., Xia, F., Wang, Y., Truncale, S., Youcef-Toumi, K. Design and control of a multi-actuated nanopositioning stage with stacked structure. 2019 American Control Conference (ACC). , 3782-3788 (2019).
  10. Xia, F., Truncale, S., Wang, Y., Youcef-Toumi, K. Design and control of a multi-actuated high-bandwidth and large-range scanner for atomic force microscopy. 2018 Annual American Control Conference (ACC). , 4330-4335 (2018).
  11. Yong, Y. K., Moheimani, S. O. R., Kenton, B. J., Leang, K. K. Invited review article: high-speed flexure-guided nanopositioning: mechanical design and control issues. The Review of Scientific Instruments. 83 (12), 121101 (2012).
  12. Wang, J. Y., Mullin, N., Hobbs, J. K. High-speed large area atomic force microscopy using a quartz resonator. Nanotechnology. 29 (33), 335502 (2018).
  13. Yang, C., et al. Charge controller with decoupled and self-compensating configurations for linear operation of piezoelectric actuators in a wide bandwidth. IEEE Transactions on Industrial Electronics. 66 (7), 5392-5402 (2019).
  14. Yang, C., Xia, F., Wang, Y., Youcef-Toumi, K. Comprehensive study of charge-based motion control for piezoelectric nanopositioners: Modeling, instrumentation and controller design. Mechanical Systems and Signal Processing. 166, 108477 (2022).
  15. Xia, F., Yang, C., Wang, Y., Youcef-Toumi, K. Bandwidth based repetitive controller design for a modular multi-actuated AFM scanner. 2019 American Control Conference (ACC). , 3776-3781 (2019).
  16. Ahmad, A., Schuh, A., Rangelow, I. W. Adaptive AFM scan speed control for high aspect ratio fast structure tracking. The Review of Scientific Instruments. 85 (10), 103706 (2014).
  17. Coskun, M. B., Alemansour, H., Fowler, A. G., Maroufi, M., Moheimani, S. O. R. Q control of an active AFM cantilever with differential sensing configuration. IEEE Transactions on Control Systems Technology. 27 (5), 2271-2278 (2019).
  18. Xia, F., Mayborne, M. P., Ma, Q., Youcef-Toumi, K. Physical intelligence in the metaverse: mixed reality scale models for twistronics and atomic force microscopy. 2022 IEEE/ASME International Conference on Advanced Intelligent Mechatronics (AIM). , 1722-1729 (2022).
  19. Xia, F., et al. A modular low-cost atomic force microscope for precision mechatronics education. Mechatronics. 76, 102550 (2021).
  20. Minne, S. C., et al. Centimeter scale atomic force microscope imaging and lithography. Applied Physics Letters. 73 (12), 1742-1744 (1998).
  21. Minne, S. C., et al. Automated parallel high-speed atomic force microscopy. Applied Physics Letters. 72 (18), 2340-2342 (1998).
  22. Ahmad, A., et al. Large area fast-AFM scanning with active "Quattro" cantilever arrays. Journal of Vacuum Science & Technology B. 34 (6), (2016).
  23. Gotszalk, T., Grabiec, P., Rangelow, I. W. Piezoresistive sensors for scanning probe microscopy. Ultramicroscopy. 82 (1), 39-48 (2000).
  24. Angelov, T., et al. Thermo-mechanical transduction suitable for high-speed scanning probe imaging and lithography. Microelectronic Engineering. 154, 1-7 (2016).
  25. Rangelow, I. W., et al. Active scanning probes: A versatile toolkit for fast imaging and emerging nanofabrication. Journal of Vacuum Science & Technology B. 35 (6), 101 (2017).
  26. Marinello, F., Bariani, P., De Chiffre, L., Hansen, H. N. Development and analysis of a software tool for stitching three-dimensional surface topography data sets. Measurement Science and Technology. 18 (5), 1404 (2007).
  27. López de la Rosa, F., Sánchez-Reolid, R., Gómez-Sirvent, J. L., Morales, R., Fernández-Caballero, A. A review on machine and deep learning for semiconductor defect classification in scanning electron microscope images. Applied Sciences. 11 (20), 9508 (2021).
  28. Holz, M., et al. High throughput AFM inspection system with parallel active cantilevers. In Photomask Technology 2019. 11148, 278-287 (2019).
  29. Gotszalk, T., Ivanov, T., Rangelow, I. Parallel SPM cantilever arrays for large area surface metrology and lithography. In Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXVIII. 9050, 274-282 (2014).
  30. Ahmad, A., et al. 13th Intl. Workshop on Nanomechanical Sensing. Quattro-Cantilever Array: Large Area and High Speed AFM Imaging and Nanolithography. , (2016).
  31. Shearer, C. J., Slattery, A. D., Stapleton, A. J., Shapter, J. G., Gibson, C. T. Accurate thickness measurement of graphene. Nanotechnology. 27 (12), 125704 (2016).
  32. Shioyama, H. The interactions of two chemical species in the interlayer spacing of graphite. Synthetic Metals. 114 (1), 1-15 (2000).
  33. Ivanova, K., et al. Scanning proximal probes for parallel imaging and lithography. Journal of Vacuum Science & Technology B. 26 (6), 2367-2373 (2008).
  34. García, R., San Paulo, A. Attractive and repulsive tip-sample interaction regimes in tapping-mode atomic force microscopy. Physical Review B. 60 (7), 4961-4967 (1999).
  35. Ruppert, M. G., Fowler, A. G., Maroufi, M., Moheimani, S. O. R. On-chip dynamic mode atomic force microscopy: a silicon-on-insulator MEMS approach. Journal of Microelectromechanical Systems. 26 (1), 215-225 (2017).

Play Video

Cite This Article
Xia, F., Youcef-Toumi, K., Sattel, T., Manske, E., Rangelow, I. W. Active Probe Atomic Force Microscopy with Quattro-Parallel Cantilever Arrays for High-Throughput Large-Scale Sample Inspection. J. Vis. Exp. (196), e65210, doi:10.3791/65210 (2023).

View Video