Summary

偏波可変レーザーと組み合わせてスピン角度分解光電子分光の実験法

Published: June 28, 2018
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Summary

ここでは、固体状態におけるスピン軌道結合効果を視覚化するスピン角度分解光電子分光法による偏波可変 7 eV レーザーを組み合わせています。

Abstract

このプロトコルの目的は、スピン角度分解光電子分光偏光可変 7 eV レーザー (レーザー SARPES)、結合を実行する方法を示し、固体物理学の勉強法の力を発揮することです。レーザー SARPES は、2 つの偉大な機能を実現します。まず、直線偏光レーザの軌道選択ルールを調べれば、軌道選択的励起可能様々 SAPRES 実験。第二に、技術は、光の偏光の関数としてスピン量子軸の変化の完全な情報を表示できます。レーザー SARPES でこれらの機能のコラボレーションの力を示すためには、Bi2Se3スピン軌道結合表面状態の調査のためこのテクニックを適用されます。この手法を affords スピン軌道結合波動関数からスピン ・軌道部品を分解します。また、偏波可変レーザーと共同で直接スピンの検出を使用する代表的な利点、テクニックは明確に 3 つの次元のスピン量子軸の偏光依存性を視覚化します。SARPES レーザー光電子分光法の機能が大幅に増加します。

Introduction

角度分解光電子分光 (ARPES) 法は固体状態1の準粒子バンド構造を調査する最も強力なツールの 1 つに開発しました。角度分解光電子分光の魅力的な機能のほとんどは、エネルギーと運動量空間での電子の状態を特徴付けるバンド マッピングの機能です。スピン分解 ARPES (SARPES)、ここで例えばスピン検出器を装備。モット検出器2,3はさらに、観測バンド構造4スピン性を解決することが出来ます。さらに 2 つモット検出器の組み合わせにより 3 つのディメンション4,5 のスピンの向きを取得する 1 つ、モット検出器は、2 つの軸 (xz、またはyおよびz) とスピンを測定できる、ので.数十年、ただし、SARPES 実験被害がなかった彼らの低効率 (通常 1/10000 スピン統合角度分解光電子分光測定の比較)3,4,5,6 7エネルギーや角解像度に限られていた。いわゆる非常に低エネルギー電子線回折 (VLEED) 検出器7,8,9交換散乱に基づく高効率スピン検出器を用いた SARPES のエネルギー分解能を増加している最近、 ,10。この器、データの品質が大幅に改善されているし、データ収集時間が短縮されています。最近では、SARPES は、スピン偏極電子状態とスピンのテクスチャ表面バンド7の結果特にスピン軌道結合効果に対処するため大きくしました。

ここでは、SARPES を用いて偏波可変真空紫外測定レーザー光 (レーザー-SARPES)、この複合技術の大きな利点を発揮します。Bi2Se3スピン軌道結合表面状態の調査を通してレーザー SARPES の 2 つの機能を提案する.まず、 s p– 双極子遷移領域における直線偏光レーザの軌道選択ルールのため-偏光が軌道対称性の異なる波動関数の固有の部分を選択的にエキサイトします。そのような軌道選択的励起はそれにより SARPES、すなわち、軌道選択的 SARPES で利用可能です。第二に、SARPES で 3次元 (3 D) スピン検出はスピン量子軸の方向を示し、直接偏光依存性の完全な情報が表示されます。このプロトコルでは、簡単に強力なスピン軌道結合効果を研究するこの最新のレーザー SARPES テクニックを実行する方法をについて説明します。

11東京大学物性研究所でレーザー SARPES システムがあります。レーザー様々 SAPRES マシンの図は図 1に示します。偏波可変 7 eV レーザー光12はサンプル表面を照らすし、サンプルから光電子が放出されます。レーザーの偏光は、MgF2– 基づく λ/2 – と波長板 λ/4 直線および円偏波を選択的に使用するによって自動的に制御されます。半球電子アナライザーは、光電子を修正し、運動エネルギー (E親族)、放出角度 (θxθy) を分析します。光電子強度はEキン– CCD カメラによって監視されているθx画面にマップされます。この画像は、逆格子空間におけるエネルギー バンド構造に直接変換されます。

SARPES 測定の具体的な排出角度と電子アナライザーを用いて運動エネルギー光電子が 90 度光電子デフ付け 2 VLEED 型スピン検出器に導かれているし、光電子ビームは、2 つに焦点を当てています。fe (001)p(1 × 1) 薄膜の酸素によって終了の異なるターゲット。ターゲットによって反映される光電子は、各スピン検出器は、channeltron を使用して、単一チャンネル検出で検出されます。VLEED ターゲットは、互いに対して直交するジオメトリと整理されるヘルムホルツ型電気コイル磁化することができます。磁化の向きは、バイポーラ コンデンサー銀行によって制御されます。ダブル VLEED スピン検出器により、私たちは 3 つの次元での光電子スピン分極ベクトルを分析します。

Protocol

1. サンプル マウントとインストール 1 × 1 × 0.5 mm のおおよそのサイズに切断した Bi2Se313の単結晶試料試料ホルダーにサンプルを接着するエポキシをスライバー ベース3の使用。 試料表面にセロハン テープを貼り付けます。メモ: スコッチ テープは、超高真空 (UHV) アトミックきれいな表面を得るためにサンプルの切断に使用されま?…

Representative Results

SARPES 実験を開始、する前にkの位置で高エネルギー、角-解像度 (プロトコル 5.1 5.5) 高統計スピン統合角度分解光電子分光の結果を使用してスピン分解スペクトルを取るため正確に決定する必要があります。これは Bi2Se3単結晶の角度分解光電子分光の結果が表示されます図 7で示されます。この材料は、表面状態のスピン偏…

Discussion

角度分解光電子分光と SARPES 技術は、一般バンド マッピングとスピン検出1,2バンド電子構造を研究するために使用されています。上記これらの一般的な利点に加えてレーザー SARPES 光双極子励起の軌道選択ルールに基づくは波動関数と量子スピン干渉におけるスピン軌道結合効果を可視化する手法として用いることができます。.レーザーの偏光を?…

Disclosures

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

福島聡豊久中山雅に感謝我々 の石田慶樹が実験のセットアップ サポートしています。感謝する資金日本学術振興会 Grantin 援助から研究 (B) プロジェクト号 26287061 を通じての若手研究 (B) プロジェクト号経由 15 K 17675。この作品も (新学術領域「トポロジカル材料科学」許可第 16 H 00979) 日本の文部科学省と日本学術振興会科研費 (補助金第 16 H 02209) によって支持された

Materials

DA30-L hemispherical analyzer ScientaOmicron http://www.scientaomicron.com/en/products/353/1170
Silver-based epoxy Epoxy Technology H20E
Sctoch tape 3M 801-1-18C
UHV valve VAT 01034-KE01
linear/rotary feedthrough Ferrovac MD40
transfer rod UHV design PP series
wobble stick Ferrovac WM40
Paladin compact 355 Coherent
half waveplate Kogakugiken order made
Bipolar condenser bank Tsuji electronics

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Kuroda, K., Yaji, K., Harasawa, A., Noguchi, R., Kondo, T., Komori, F., Shin, S. Experimental Methods for Spin- and Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Combined with Polarization-Variable Laser. J. Vis. Exp. (136), e57090, doi:10.3791/57090 (2018).

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