Em análises profundidade de LEDs por uma combinação de raios-X Tomografia Computadorizada (CT) e Microscopia de Luz (LM) correlacionada com Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV)

Este artigo demonstra o potencial e as vantagens de uma combinação de tomografia de raios-X computadorizada (TC) com luz correlativa e microscopia eletrônica (CLEM) para o exemplar na caracterização profundidade de diodos emissores de luz (LED). Com esta técnica é possível programar o micro preparação do diodo emissor de luz de tal forma que, enquanto uma secção transversal podem ser visualizados microscopicamente a funcionalidade eléctrica é preservada no restante da amostra. O procedimento tem várias características únicas: em primeiro lugar, o micro preparação planejada pela ajuda do volume prestado de toda a amostra obtida por CT; em segundo lugar, a observação do diodo emissor de luz por microscopia de luz (ML) com a variedade completa de técnicas de imagem disponíveis (brilhante e de campo escuro, contraste de polarização, etc.); em terceiro lugar, a observação do LED em operação por LM; Em quarto lugar, a observação de regiões idênticas com toda a variedade de técnicas de imagem de microscopia electrónica compreendendo e secundárioLectron (SE) e imagiologia de electrões retrodifusão (EEB), assim como a espectroscopia de dispersão de energia de fluorescência de raios-X (EDX).

LEDs para aplicações de iluminação está concebido para emitir luz branca, embora em certas aplicações a variabilidade de cor pode ser favorável. Esta larga de emissão não podem ser alcançados por emissão de um composto de semicondutores, uma vez que os LEDs emitem radiação de uma banda espectral estreita (cerca de 30 largura total a metade máxima nm (FWHM)). Portanto luz LED branco é comumente gerado pela combinação de um LED azul com os fósforos que convertem a radiação de curto comprimento de onda na emissão ampla sobre uma grande faixa espectral ^1. Variável cor do LED soluções costumam fazer uso de pelo menos três primárias, que geralmente resulta em preços de mercado mais elevados. ²

O uso de qualquer das CT, LM ou SEM é, naturalmente, bem estabelecida (por exemplo, em análise de falhas para os LEDs ^{3 – 15),} no entanto, ocombinação abrangente e intencional de todas as três técnicas descritas aqui podem oferecer novas perspectivas e permitirá faixas mais rápidas para os resultados de caracterização significativas.

De 3D análise microestrutural do dispositivo embalado em CT as regiões de interesse (ROI) podem ser identificados e seleccionados. Com este método não destrutivo, as ligações eléctricas podem também ser identificados e considerados para posterior preparação. A preparação precisa de uma secção transversal 2D permite investigações de o dispositivo em operação, apesar da natureza destrutiva do presente método. A secção transversal pode agora ser caracterizado por CLEM ^16,17 que permite uma caracterização muito eficiente e flexível de ROIs idêntica com LM, bem como SEM. Por esta abordagem, as vantagens de ambas as técnicas de microscopia pode ser combinado. Por exemplo, uma identificação rápida de ROIs no LM é seguido por processamento de imagem de alta resolução na SEM. Mas, além disso, a correlação da informação a partir deLM (por exemplo, cor, propriedades ópticas, distribuição de partículas) com a visualização e técnicas de análise de SEM (por exemplo, tamanho de partícula, morfologia da superfície, distribuição elemento) permite uma mais profunda compreensão do comportamento funcional e microestrutura dentro de um diodo emissor de luz branca.