走査型電子顕微鏡（SEM）と相関X線コンピュータ断層撮影（CT）および光学顕微鏡（LM）の組合せによるLEDの深さ分析で

この記事では、相関光と発光ダイオード（LED）の深さの特徴付けで典型的なのための電子顕微鏡（CLEM）とX線コンピュータ断層撮影（CT）の組み合わせの可能性と利点を示しています。この技術では、断面を顕微鏡で画像化することができるが、電気的機能性は、試料の残りの部分で保存されるような方法でLEDのマイクロ製造を計画することが可能です。手順は、いくつかのユニークな特徴があります：CTによって得られたサンプル全体のボリュームレンダリングの助けにより、まず、計画されたマイクロ準備を。第二に、利用可能なイメージング技術（明るい及び暗視野、偏光コントラストなど ）の完全な様々な光学顕微鏡（LM）によりLEDの観察;第三に、LMによる操作のLEDの観察。第四に、電子顕微鏡画像化技術の完全な様々な同じ領域の観察は、二次電子を含みますlectron（SE）および後方散乱電子（BSE）画像、並びに、エネルギー分散型蛍光X線分光法（EDX）。

特定の用途においてカラーのばらつきが良好であってもよいが、照明用途のためのLEDは、白色光を放出するように設計されています。 LEDは、狭いスペクトルバンド（ 約 30nmの半値全幅（FWHM））の放射線を放出するので、このブロードな発光は、1種の化合物半導体から排出することによって達成することができません。したがって、白色LEDランプは、一般的に青色が大きいスペクトル領域¹上^にブロードな発光に短波長の放射線を変換する蛍光体とLEDの組み合わせによって生成されます。解決策は、通常、一般的により高い市場価格になり、少なくとも3原色の使用を作るLEDカラー変数^。2

（発光ダイオード³の故障解析で例えば 、 ^{– 15）}もちろん、十分に確立されているCT、LMまたはSEMのいずれかの使用、しかし、ここに記載されているすべての3つの手法の包括的かつ意図的な組み合わせは、新たな洞察を提供するかもしれないし、意味のある特性評価結果に向かって高速にトラックを有効にします。

CTでパッケージ化されたデバイスの3次元微細構造の分析から利息（ROIを）の領域を同定し、選択することができます。この非破壊的な方法では、電気的な接続も識別することができ、さらに製造のための考え。 2D断面の正確な製造は、この方法の破壊的な性質にもかかわらず、動作中のデバイスの調査を可能にします。断面は現在LMならびにSEMと同じROIの非常に効率的かつ柔軟な特性評価を可能にするCLEM ^16,17によって特徴付けることができます。このアプローチによって、両方の顕微鏡技術の利点を組み合わせることができます。例えば、LMにおけるROIの迅速同定は、SEMで高分解能イメージングが続きます。しかし、さらに、情報の相関関係から、LM SEM（ 例えば 、粒径、表面形態、元素分布）の可視化および解析技術を持つ（ 例えば 、色、光学特性、粒子分布）は、白色LED内の機能の挙動と微細構造をより深く理解することができます。