Een Fabrication Methode voor Zeer rekbaar Dirigenten met Zilveren Nanodraden

Vervormbare elektronische apparatuur met grote rekbaarheid geïdentificeerd als kritieke delen aan de realisatie van draagbare en draagbare elektronica in de volgende generatie. ¹ die rekbaar elektronische inrichtingen tonen niet alleen grote flexibiliteit als die elektronische inrichtingen op kunststof vellen, ^{2, 3} maar vertonen ook uitstekende prestaties onder zware uitrekken of verdraaien omstandigheden. ⁴ Voor het realiseren van de rekbare elektronica, materialen met een grote elektrische prestaties onder grote vervorming nodig is. Recente ontwikkelingen in de materiaalwetenschappen hebben aangetoond de mogelijkheid om dergelijke functionele materialen te synthetiseren en hebben ze gebruikt om rekbaar opto-elektronische apparaten ^5-9 te ontwerpen met een grote tolerantie voor complexe vorm vervormingen. Van alle elektronische functionele materialen, rekbare geleiders nodig elektrische voeding van de opto-elektronische inrichtingen en derhalve van essentieel belang voor de prestaties van het apparaat.Omdat regelmatige geleidende materialen, zoals metaal of indium tin oxide, gebrek aan mechanische robuustheid tijdens grote deformatie, interconnects uit deze materialen niet in staat zijn goede elektrische geleidbaarheid vertonen onder rekproces. Aldus elastische substraten bedekt met een dunne laag van flexibele geleidende materialen, zoals koolstof nanobuis, ¹ grafeen, ¹⁰ of AgNWs, ^11-14 zijn ontworpen voor geleiders met uitstekende rekbaarheid. Vanwege het hoge geleidingsvermogen hebben AgNW dunne films blijkt de meest veelbelovende materialen voor composiet rekbaar geleiders zijn. ¹³ Het sijpelt netwerken AgNW dunne films effectief geschikt voor grote elastische vervormingen in rekproces met grote elektrische geleidbaarheid, en worden beschouwd als een veelbelovende rekbaar elektrode kandidaat. Om AgNW dunne films rekbaar geleiders voeren, is het noodzakelijk om effectieve elektrische contacten tussen AgNWs hebben. Na vloeibare depositie eend drogen op substraat oppervlakken, AgNWs regelmatig stapelen samen om een ​​sijpelt mesh met losse contactpunten, die op in grote elektrische weerstanden te vormen. Aldus dient men de contacten tussen nanodraden van hoge temperatuur of hoge druk annealing methoden ^15-20 annealen de contactweerstanden verminderen.

In tegenstelling tot deze gloeiprocessen in de literatuur, hier, zullen we een eenvoudige chemische methode aantonen AgNW netwerkverbindingen hybridiseren onder normale laboratoriumomstandigheden. ²¹ Het fabricageproces wordt getoond in figuur 4A. Een reactieve inkt gebruikt om de spray te sinteren beklede AgNW dunne films op een glasplaat. Na de reactie worden de contacten tussen nanodraden bedekt met zilver en dus de AgNW netwerk chemisch aan elkaar gesoldeerd. A cast-en-peel methode wordt vervolgens gebruikt om de gesoldeerde AgNW netwerk overdragen naar een uitrekbaar PU substraat om een ​​samengestelde geleider die geen duidelijke verandering vertoont Vorm In elektrische geleidbaarheid zelfs bij grote trekspanning van 120%.