Herstellung von Niedertemperatur-Carbon Nanotube Vertikale Verbindungen Kompatibel mit Halbleitertechnik

Kupfer und Wolfram, die Metalle, die derzeit für die Leiterbahnen in State-of-the-Art-Integrationsgrad (VLSI) Technologie verwendet werden, nähern sich ihre physikalischen Grenzen in Bezug auf Zuverlässigkeit und elektrische Leitfähigkeit ^1. Während des Herunterskalierung Transistoren ihre Leistung im Allgemeinen verbessert, es tatsächlich erhöht den Widerstand und die Stromdichte der Leiterbahnen. Dies führte zu Verbindungen dominiert den integrierten Schaltkreis (IC) Leistung in Bezug auf Verzögerung und Stromverbrauch ^2.

Carbon Nanotubes (CNT) sind als Alternative für Cu und W-Metallisierung vorgeschlagen worden, vor allem für vertikale Verbindungen (Vias) als CNT kann leicht ^vertikal 3 angebaut. CNT ist gezeigt worden, ausgezeichnete elektrische Zuverlässigkeit aufweisen, so dass eine bis zu 1000-mal höheren Stromdichte als ^Cu 4. Hinzu kommt, dass CNT nicht von der Oberfläche und Korngrenzenstreuung zu leiden, die Erhöhung wird die resistivity von Cu im Nanometerbereich ^5. Schließlich CNT wurde gezeigt, daß eine ausgezeichnete thermische ^Leiter 6, der im Wärmemanagement in VLSI-Chips unterstützen kann.

Für eine erfolgreiche Integration von CNT in der VLSI-Technologie ist es wichtig, dass die Wachstumsprozesse für die CNT mit der Halbleiterherstellung kompatibel gemacht. Dies erfordert das Niedertemperaturwachstum von CNT (<400 ° C) unter Verwendung von Materialien und Ausrüstung, die als verträglich und skalierbar Großproduktion sind. Obwohl viele Beispiele von CNT Test Durchkontaktierungen sind in der Literatur ^{7,8,9,10,11,12,13,14} demonstriert worden, die meisten von ihnen verwenden Fe als Katalysator, der als eine Verunreinigung in der IC-Herstellung ¹⁵ gilt. Außerdem ist die Aufwachstemperatur in vielen dieser Arbeiten verwendet viel höher als die obere Grenze von 400 ° C. Vorzugsweise CNT sollte sogar unter 350 ° C gehalten werden, um die Integration mit modernen Nieder κ-Dielektrika oder flexible ermöglichenSubstraten.

Hier präsentieren wir eine skalierbare Methode zur wachsenden CNT bei Temperaturen bis zu 350 ° C unter Verwendung von Co als Katalysator ^16. Diese Methode ist von Interesse für die Herstellung von verschiedenen elektrischen Strukturen, die aus vertikal ausgerichteten CNT in integrierten Schaltungen, die von Verbindungs- und Elektroden an Super-Kondensatoren und Feldemissionsvorrichtungen. Der Co-Katalysator Metall wird oft in der IC-Herstellung für die Herstellung von Silizid von ¹⁷ verwendet, während TiN ist eine häufig verwendete Sperrmaterial ^7. Darüber hinaus zeigen wir ein Verfahren zur Herstellung CNT Test Vias während nur unter Verwendung von Techniken aus Standard-Halbleiterfertigung. Damit werden CNT Test Durchkontaktierungen hergestellt, durch Rasterelektronenmikroskopie (SEM) und Raman-Spektroskopie und elektrisch charakterisiert inspiziert.