The fabrication process and experimental characterization techniques relevant to single-electron pumps based on silicon metal-oxide-semiconductor quantum dots are discussed.
As mass-produced silicon transistors have reached the nano-scale, their behavior and performances are increasingly affected, and often deteriorated, by quantum mechanical effects such as tunneling through single dopants, scattering via interface defects, and discrete trap charge states. However, progress in silicon technology has shown that these phenomena can be harnessed and exploited for a new class of quantum-based electronics. Among others, multi-layer-gated silicon metal-oxide-semiconductor (MOS) technology can be used to control single charge or spin confined in electrostatically-defined quantum dots (QD). These QD-based devices are an excellent platform for quantum computing applications and, recently, it has been demonstrated that they can also be used as single-electron pumps, which are accurate sources of quantized current for metrological purposes. Here, we discuss in detail the fabrication protocol for silicon MOS QDs which is relevant to both quantum computing and quantum metrology applications. Moreover, we describe characterization methods to test the integrity of the devices after fabrication. Finally, we give a brief description of the measurement set-up used for charge pumping experiments and show representative results of electric current quantization.
Silicon is the material of choice for most of the modern microelectronics. Its properties, combined with advanced lithographic techniques, have allowed the semiconductor industry to achieve very large-scale integration and deliver billions of transistors per chip. The metal-oxide-semiconductor (MOS) technology1 has been the key of this relentless technological progress2. In brief, it is based on a selectively doped Si substrate which is thermally oxidized to grow a high quality SiO2 gate oxide on which a metal gate electrode is deposited. Recently, it has been shown that the use of a stack of gate oxides could be beneficial3 . While present industry standards have reached minimum feature sizes for gate lengths below 20 nm, it is becoming increasingly evident that, at this level of miniaturization, detrimental quantum mechanical phenomena come into play that may complicate further downscaling4.
Remarkably, silicon is also an excellent host material to exploit the quantum properties of the electron charge and spin5. This has broadened its range of applicability to entirely new fields such as quantum computing6 and quantum electrical metrology7. Among other approaches5, the use of a multi-gate MOS technology8,9 has led to electrostatically-defined quantum dots (QD) whose occupancy can be controlled down to single-electron level10. Unlike the conventional MOS process where just one gate per transistor is needed1, these QDs are defined via a three-layer stack of Al/AlyOx gates which are used to selectively accumulate electrons at the Si/SiO2 interface, as well as provide lateral and vertical confinement11.
Although these devices had been originally developed for quantum computing applications, they have also recently shown promising performances as metrological tools12,13. In the field of quantum electrical metrology, a long-standing goal is the redefinition of the unit ampere in terms of the elementary charge (e) 14. In particular, the emphasis is on the realization of nano-scale charge pumps to clock the transfer of individual electrons timely and accurately. These devices generate macroscopic quantized electric currents, I=nef, where f is the frequency of an external driving oscillator and n is an integer. To date, the best performance has been achieved with a GaAs-based pump by yielding a current in excess of 150 pA with a relative uncertainty of 1.2 parts per million15. Recently, silicon MOS QDs have also stood out for the implementation of highly accurate single-electron pumps thanks to the capability of finely tuning the charge confinement13.
Here, we discuss the protocol used for the fabrication of silicon MOS QDs. Furthermore, the cryogenic set-up used to test the integrity of the devices after fabrication and the one to perform charge pumping experiments are described. Finally, representative measurements of quantized electric current are reported.
Das Protokoll in dieser Veröffentlichung beschreibt die Techniken zu fertigen Silizium-MOS-QDs, sowie die experimentellen Verfahren, um ihre Funktionsfähigkeit zu testen und betreiben sie als Einzelelektronenpumpen. Bemerkenswert ist, durch Anpassen der Gate-Design, kann das gleiche Herstellungsverfahren eingesetzt werden, um Geräte für den Quanten-Bit-Anzeige und Steuerung 17 sowie Ladungspump 12,13 produzieren. Wir stellen fest, dass viele der Prozessparameter in diesem Artikel zitiert kann variieren in Abhängigkeit von den Herstellungswerkzeuge verwendet (Kalibrierung, Marke oder Modell), sowie von der Art der Silizium-Substrat (Dicke und Hintergrunddotierungsdichte). Größen wie Lithographie-Belichtungsdosis oder die Entwicklungszeit, Ätzen oder Oxidation Dauer, müssen sorgfältig kalibriert und getestet, um eine verlässliche Rendite zu gewährleisten. Weiterhin ist es von entscheidender Bedeutung, um eine Kreuzkontamination, die aus der Verwendung der gleichen Herstellungswerkzeuge für unterschiedliche Prozesse zu vermeiden. Zu diesem Zweck ist eine Anzahl von crtische Schritte mit Geräten durchgeführt ausschließlich Siliziumverarbeitung gewidmet wie Metallverdampfer, Sauerstofföfen und HF Bäder.
Allgemeiner wird Silizium Zeichnung ein wachsendes Interesse als das Material der Wahl, um Ladungspumpen 18-20 realisieren. Dies ist zum Teil auf die attraktive Perspektive der Umsetzung einer neuen Quanten-basierten elektrischen Strom mit Hilfe eines Standard-Industrie-kompatiblen Siliziumprozess. Dies würde aus etablierten und zuverlässigen Integrationstechniken für Skalierbarkeit, Parallelisierung und Fahraufwand profitieren. Wichtig ist, dass eine vollständige komplementäre MOS (CMOS) Technologie, frei von traditionellen Metall als Gate-Material, stark reduziert Hintergrundladungsfluktuationen in Einzelelektronenvorrichtungen 21 dargestellt. Solche Schwankungen können sich schädlich bei der Erreichung messtechnische Genauigkeit ist.
Die hier diskutierten Protokoll zur Realisierung von MOS Nanogeräte mit Metallgates begrenzt. Deshalb, um Achieve volle Industrietauglichkeit und Ladungsfluktuationen reduzieren, ist es notwendig wäre, um die Gate-Abscheidungstechniken modifizieren und hochdotierten polykristallinen Silicium als Gate-Material sein.
Zusammenfassend haben die MOS-QD Pumpen hier diskutierten kürzlich kombiniert den technologischen Vorsprung von Silizium mit einer sehr guten Leistung in Bezug auf genaue aktuelle Generation 13. Dies ergibt sich aus der hohen Flexibilität der Konstruktion und Herstellungsverfahren, die ein bis mehrere Gate-Schichten, die zu einer kompakten und vielseitigen System-Stack zu ermöglichen. Das so erhaltene feine Einstellbarkeit des elektrostatischen Begrenzung des Punkt zusammen mit dem Potential, um Hintergrundladungsfluktuationen reduzieren die Bühne zu überwinden die wichtigsten Herausforderungen in anderen Halbleiter beobachtet Pumpen 22,23.
The authors have nothing to disclose.
Wir danken KY Tan, P. See und GC Tettamanzi für hilfreiche Diskussionen. Wir danken für die finanzielle Unterstützung aus dem Australian Research Council (Grant No DP120104710), der Akademie von Finnland (Erteilungsnummer 251748, 135794, 272806) und Unterstützung von der Australian National Herstellungsanlage für die Herstellung von Bauelementen. AR erkennt finanzielle Unterstützung von der University of New South Wales Early Career Researcher Grant-Schema. Die Bereitstellung von Einrichtungen und technische Unterstützung von Aalto-Universität in Micronova Nanofabrication Center wird auch anerkannt.
Silicon wafers | TOPSIL | 4 inch | |
Electron-beam lithography machine | Raith gmbh | Raith 150two | |
E-beam resist | MicroChem gmbh | PMMA | |
Photoresist | MicroChem gmbh | nLOF2020 | |
Mask aligner | Quintel | Q6000 | |
Photoresist developer | MicroChem gmbh | AZ826MIF |