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U2O5 película preparación vía UO2 deposición por Sputtering de corriente directa y sucesiva oxidación y reducción con oxígeno atómico y el hidrógeno atómico
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U2O5 Film Preparation via UO2 Deposition by Direct Current Sputtering and Successive Oxidation and Reduction with Atomic Oxygen and Atomic Hydrogen
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U2O5 película preparación vía UO2 deposición por Sputtering de corriente directa y sucesiva oxidación y reducción con oxígeno atómico y el hidrógeno atómico

DOI:
10.3791/59017-v

•

12:05 min

•

February 21, 2019

•

, , ,
1European Commission, Joint Research Centre,Directorate for Nuclear Safety and Security

Capítulos

  • 00:04Título
  • 01:06The Labstation Modular Machine
  • 02:11Introduction of the Sample and Sample Holder into the Labstation
  • 03:10Transfer the Sample Holder to the Preparation Chamber
  • 04:03In situ Cleaning of the Sample Holder and Sample Holder Characterization
  • 05:39Deposition of a UO2 Thin Film
  • 06:50UO2 Sample Characterization
  • 07:38Oxidation of UO2 with Atomic Oxygen and Analysis of the UO3 Obtained
  • 08:52Reduction of UO3 by Atomic Hydrogen and Analysis of the U2O5 Obtained
  • 09:45Results: Identification of Uranium(V) in Thin Films
  • 10:51Conclusion

Summary

Tadução automática

Tadução automática

Este protocolo presenta la preparación de U2O5 películas delgadas obtenidas en situ en ultra alto vacío. El proceso implica la oxidación y la reducción de las películas de2 UO con oxígeno atómico y el hidrógeno atómico, respectivamente.

Tags

Keywords: U2O5UO2Thin FilmSputteringOxidationReductionAtomic OxygenAtomic HydrogenUranium OxidesSurface CompositionX-ray Photoelectron SpectroscopyNitridesCarbidesUltra-high VacuumSample PreparationGold SubstrateLoading ChamberVacuum System

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