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U2O5 Film Vorbereitung über UO2 Ablagerung von Gleichstrom-Sputtern und aufeinanderfolgenden Oxidation und Reduktion mit atomarem Sauerstoff und atomarer Wasserstoff
JoVE Journal
Química
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JoVE Journal Química
U2O5 Film Preparation via UO2 Deposition by Direct Current Sputtering and Successive Oxidation and Reduction with Atomic Oxygen and Atomic Hydrogen
DOI:

12:05 min

February 21, 2019

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Capítulos

  • 00:04Título
  • 01:06The Labstation Modular Machine
  • 02:11Introduction of the Sample and Sample Holder into the Labstation
  • 03:10Transfer the Sample Holder to the Preparation Chamber
  • 04:03In situ Cleaning of the Sample Holder and Sample Holder Characterization
  • 05:39Deposition of a UO2 Thin Film
  • 06:50UO2 Sample Characterization
  • 07:38Oxidation of UO2 with Atomic Oxygen and Analysis of the UO3 Obtained
  • 08:52Reduction of UO3 by Atomic Hydrogen and Analysis of the U2O5 Obtained
  • 09:45Results: Identification of Uranium(V) in Thin Films
  • 10:51Conclusion

Summary

Tadução automática

Dieses Protokoll stellt die Vorbereitung der U2O5 Dünnfilme erhalten in Situ im Ultra-Hochvakuum. Der Prozess umfasst Oxidation und Reduktion von UO2 Filme mit atomarem Sauerstoff und atomarer Wasserstoff, beziehungsweise.

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