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U2O5 Film préparation via UO2 dépôt par pulvérisation de courant continu et l’oxydation Successive et réduction avec l’oxygène atomique et de l’hydrogène atomique
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U2O5 Film Preparation via UO2 Deposition by Direct Current Sputtering and Successive Oxidation and Reduction with Atomic Oxygen and Atomic Hydrogen
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U2O5 Film préparation via UO2 dépôt par pulvérisation de courant continu et l’oxydation Successive et réduction avec l’oxygène atomique et de l’hydrogène atomique

DOI:
10.3791/59017-v

•

12:05 min

•

February 21, 2019

•

, , ,
1European Commission, Joint Research Centre,Directorate for Nuclear Safety and Security

Capítulos

  • 00:04Título
  • 01:06The Labstation Modular Machine
  • 02:11Introduction of the Sample and Sample Holder into the Labstation
  • 03:10Transfer the Sample Holder to the Preparation Chamber
  • 04:03In situ Cleaning of the Sample Holder and Sample Holder Characterization
  • 05:39Deposition of a UO2 Thin Film
  • 06:50UO2 Sample Characterization
  • 07:38Oxidation of UO2 with Atomic Oxygen and Analysis of the UO3 Obtained
  • 08:52Reduction of UO3 by Atomic Hydrogen and Analysis of the U2O5 Obtained
  • 09:45Results: Identification of Uranium(V) in Thin Films
  • 10:51Conclusion

Summary

Tadução automática

Tadução automática

Ce protocole présente la préparation de U2O5 couches minces obtenues in situ sous ultravide. Le processus implique oxydation et réduction des films2 UO avec l’oxygène atomique et de l’hydrogène atomique, respectivement.

Tags

Keywords: U2O5UO2Thin FilmSputteringOxidationReductionAtomic OxygenAtomic HydrogenUranium OxidesSurface CompositionX-ray Photoelectron SpectroscopyNitridesCarbidesUltra-high VacuumSample PreparationGold SubstrateLoading ChamberVacuum System

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