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L'effetto dei parametri di anodizzazione sullo strato didielettrico dell'ossido di alluminio dei transistor a film sottile
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JoVE 신문 화학
The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors

L'effetto dei parametri di anodizzazione sullo strato didielettrico dell'ossido di alluminio dei transistor a film sottile

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12:32 min

May 24, 2020

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12:32 min
May 24, 2020

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I parametri di anodizzazione per la crescita dello strato dielettrico di ossido di alluminio dei transistor a film sottile di ossido di zinco (TCT) sono diversi per determinare gli effetti sulle risposte dei parametri elettrici. L'analisi della varianza (ANOVA) viene applicata a una progettazione Plackett-Burman di esperimenti (DOE) per determinare le condizioni di produzione che determinano prestazioni ottimizzate del dispositivo.

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