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Sviluppo e funzionalizzazione di transistor ad effetto di campo in grafene elettrolitico-gated per il rilevamento di biomarcatori
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Development and Functionalization of Electrolyte-Gated Graphene Field-Effect Transistor for Biomarker Detection
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Sviluppo e funzionalizzazione di transistor ad effetto di campo in grafene elettrolitico-gated per il rilevamento di biomarcatori

DOI:
10.3791/63393-v

•

07:51 min

•

February 01, 2022

•

, ,
1Lane Department of Computer Science and Electrical Engineering,West Virginia University, 2Beijing Graphene Institute

Capitoli

  • 00:04Introduction
  • 00:39Transferring Chemical Vapor Deposition of Graphene
  • 02:08Removal of PMMA
  • 02:40Fabrication of Graphene Field Effect Transistor (GFET)
  • 05:32Results: Characterization of CVD Graphene and IgG Detection
  • 07:00Conclusion

Summary

Traduzione automatica

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Il presente protocollo dimostra lo sviluppo del biosensore EGGFET (Electrolyte-gated Graphene Field-Effect Transistor) e la sua applicazione nel rilevamento di immunoglobuline G (IgG) biomarcatori.

Tags

GrapheneField-effect TransistorBiomarker DetectionPMMA RemovalCVD GrapheneLabel-free BiosensingHigh SelectivityHigh SensitivityReal-time DetectionElectron Beam EvaporationPhotolithography

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