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Crecimiento epitaxial de perovskita del titanato de estroncio en el germanio a través de deposición de capas atómicas
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Epitaxial Growth of Perovskite Strontium Titanate on Germanium via Atomic Layer Deposition
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Crecimiento epitaxial de perovskita del titanato de estroncio en el germanio a través de deposición de capas atómicas

DOI:
10.3791/54268-v

•

09:45 min

•

July 26, 2016

•

, , ,
1McKetta Department of Chemical Engineering,The University of Texas at Austin

Capitoli

  • 00:05Titolo
  • 01:20Cleaning the Germanium Substrate
  • 02:46Loading to the Vacuum System and Germanium Deoxidization
  • 04:30Thin Film ALD Growth and Annealing of the Strontium Titanate (STO) Film
  • 07:23Results: RHEED and X-ray Diffraction Analysis
  • 08:41Conclusion

Summary

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Este trabajo detalla los procedimientos para el crecimiento y caracterización de SrTiO cristalina 3 directamente sobre sustratos de germanio por deposición de capas atómicas. El procedimiento ilustra la capacidad de un método de crecimiento de todos los productos químicos para integrar óxidos monolíticamente en semiconductores para dispositivos semiconductores de óxido de metal.

Tags

Keywords: Epitaxial GrowthPerovskiteStrontium TitanateGermaniumAtomic Layer DepositionMicroelectronicsDielectricCrystalline OxidesInterface StatesManufacturingPrecursorsMolecular Beam EpitaxySubstrate CleaningUV Ozone CleaningVacuum System

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