Summary

Herstellung von flexiblen Bildsensor basierend auf seitliche NIPIN Fototransistoren

Published: June 23, 2018
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Summary

Wir präsentieren Ihnen eine detaillierte Methode, um eine verformbare seitliche NIPIN Fototransistor-Array für gebogene Bildsensoren zu fabrizieren. Der Fototransistor-Array mit einer offene Mesh-Form, die von dünnen Silizium-Inseln und dehnbare Metall Verbindungsleitungen zusammengesetzt ist, bietet Flexibilität und Dehnbarkeit. Der Parameter-Analyzer charakterisiert die elektrischen Eigenschaften von den vorgefertigten Fototransistor.

Abstract

Flexible Photodetektoren für die Verwendung von gekrümmten Bildsensoren, die eine entscheidende Komponente in Bio-inspirierte bildgebenden Systemen sind, intensiv untersucht worden, aber einige schwierige Punkte bleiben, wie eine geringe Absorption Effizienz durch eine aktive Dünnschicht und niedrige Flexibilität. Wir präsentieren eine fortgeschrittene Methode, um eine flexible Fototransistor-Array mit einer verbesserten elektrischen Leistung zu fabrizieren. Die elektrische Leistungsfähigkeit wird durch einen niedrigen Dunkelstrom wegen doping-Tiefe Unreinheit angetrieben. Dehnbar und flexibel Metall Verbindungsleitungen bieten gleichzeitig elektrische und mechanische Stabilitäten in einem stark verformten Zustand. Das Protokoll beschreibt explizit den Fertigungsprozess von den Fototransistor verwenden eine dünne Silizium-Membran. Durch die Messung-V Eigenschaften des fertigen Gerätes in deformierten Staaten, zeigen wir, dass dieser Ansatz die mechanischen und elektrischen Stabilitäten der Fototransistor-Arrays verbessert. Wir erwarten, dass dieser Ansatz für eine flexible Fototransistor für die Anwendungen der nächsten Generation bildgebende Systeme/Optoelektronik sondern auch tragbare Geräte wie taktile/Druck/Temperatur-Sensoren und Systemüberwachungen verbreitet werden kann.

Introduction

Bioinspirierte bildgebende Systeme bieten viele Vorteile gegenüber der konventionellen bildgebenden Systeme1,2,3,4,5. Netzhaut oder halbkugelförmigen Facettenaugen ist ein wesentlicher Bestandteil des biologischen Sehsystem1,2,6. Ein gebogene Bildsensor, der das kritische Element der Tieraugen imitiert, bieten eine kompakte und einfache Konfiguration von optischen Systemen mit geringen Abweichungen7. Diverse Zuführungen der Fertigungstechniken und Materialien, zum Beispiel die Verwendung von intrinsisch weiche Materialien wie Bio/Nanomaterialien8,9,10,11, 12 und die Einführung der verformbaren Strukturen in Halbleitern wie Silizium (Si) und Germanium (Ge)1,2,3,13,14, 15,16,17, erkennen die gebogene Bildsensoren. Unter anderem bieten Si-basierte Ansätze inhärenten Vorteile wie eine Fülle von Material, ausgereifte Technologie, Stabilität und optische/elektrische Überlegenheit. Aus diesem Grund obwohl Si innere Festigkeit und Sprödigkeit, sind Si-basierte flexible Elektronik weithin für verschiedene Anwendungen, wie z. B. flexible Optoelektronik18,19,20 untersucht worden einschließlich gebogenen Image Sensoren1,2,3, und sogar tragbare Medizingeräte21,22.

In einer aktuellen Studie haben wir analysiert und verbessert die elektrische Leistung der eine dünne Si Photodetektor Array23. In dieser Studie ist die optimale Einheit Zelle des gebogenen Photodetektor Arrays einen Fototransistor (PTR) Typ, der aus einer Fotodiode und Sperrdiode besteht. Die Basis Kreuzung Verstärkung verstärkt eine generierte fotostromes, und daher weist es eine Route um eine elektrische Leistung mit einer Dünnschicht-Struktur zu verbessern. Zusätzlich zu der einzelnen Zelle eignet sich die Dünnschicht-Struktur einen Dunkelstrom zu unterdrücken, die als Rauschen in den Photodetektor gilt. In Bezug auf die Dotierungskonzentration ist eine Konzentration, die größer als 1015 cm-3 ausreichen, um eine außergewöhnliche Leistung zu erreichen, in der die Diode Merkmale mit einer Lichtstärke über 10-3 W/cm2 23 eingehalten werden können . Darüber hinaus die PTR einzelne Zelle hat einen niedrige Spalte Lärm und optisch/elektrisch stabile Eigenschaften im Vergleich zu der Fotodiode. Basierend auf diesen Design-Regeln, hergestellt wir eine flexible Photodetektor-Array, das aus dünnen Si PTRs mit Silikon-auf-Insulator (SOI) Wafer besteht. Im Allgemeinen ist eine wichtige Regel flexible Bildsensoren die neutrale mechanischen Ebene-Konzept, das die Position durch die Dicke der Struktur definiert, wo Stämme NULL für eine willkürlich kleine R24 sind. Ein weiterer entscheidender Punkt ist eine serpentine Geometrie der Elektroden, da eine wellige Form vollständig reversibel Dehnbarkeit der Elektrode bietet. Durch diese beiden wichtigen Design-Konzepte kann die Photodetektor Array flexibel und dehnbar sein. Es erleichtert die 3D Deformation des Photodetektor Arrays in eine halbkugelförmige Form oder eine gebogene Form wie der Netzhaut von Tieraugen2.

In dieser Arbeit haben wir ausführlich die Prozesse für die Herstellung von gebogenen PTR-Array mit Halbleiter-Fertigungsprozesse (z. B.doping, Radierung und Ablagerung) und Transferdruck. Wir charakterisieren auch, eine einzige PTR in Bezug auf eine-Spannungs-Kennlinie. Neben dem Herstellungsverfahren und individuelle Zellanalyse wird die elektrische Funktion des PTR-Arrays in deformierten Staaten analysiert.

Protocol

Achtung: Einige Chemikalien (i.e., Flusssäure, gepufferte oxid Ätzmittel, Isopropyl-Alkohol, etc..) verwendet in diesem Protokoll kann gesundheitsschädlich sein. Konsultieren Sie bitte alle relevanten Sicherheitsdatenblätter, bevor irgendwelche Probenvorbereitung stattfindet. Geeigneten persönlichen Schutzausrüstung zu nutzen (zB., Laborkittel, Schutzbrille, Handschuhe) und technische Kontrollen (zB., Bahnhof nass, Rauch Haube) beim Umgang mit Ätzmittel und Lösungsmittel. <…

Representative Results

Abbildung 3a und 3 b zeigen die entworfene und gefertigte Struktur des NIPIN PTR unter Berücksichtigung der bisherigen Studien2,23. Der Einschub in Abbildung 3a zeigt eine grundlegende spannungs-Eigenschaft der PTR. Die detaillierte Strukturparameter von PTR sind in Abbildung 3 bgezeigt. Der doping Prozess für eine Si-Schic…

Discussion

Die hier beschriebene Technik der Herstellung trägt wesentlich zum Fortschritt der moderne Elektronik und tragbare Geräte. Die grundlegenden Konzepte von diesem Ansatz verwenden eine dünne Si-Membran und Metall Verbindungsleitungen in der Lage, Stretching. Zwar Si ein Material spröde und hart, die leicht gebrochen werden können, erhalten eine sehr dünne Schicht Si eine Flexibilität26,27. Bei der Metall-Verbindung bietet die gewellte Form Dehnbarkeit und Fl…

Divulgazioni

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

Diese Forschung wurde von der kreativen Materialien-Discovery-Programm durch die National Research Foundation von Korea (NRF) gefördert durch das Ministerium für Wissenschaft und IKT (NRF-2017M3D1A1039288) unterstützt. Diese Forschung wurde auch vom Institut für Informations- und Kommunikations-Technologie-Förderung (IITP) Zuschuss gefördert durch die Regierung von Korea (MSIP) (No.2017000709, integrierte Ansätze der körperlich unclonable kryptografischen primitiven mit unterstützt. zufällige Laser und Optoelektronik).

Materials

MBJ3 karl suss MJB3 UV400 MASK ALIGNER Mask aligner
80 plus RIE Oxford instruments Plasmalab 80 Plus for RIE ICP-RIE
80 plus PECVD Oxford instruments Plasmalab 80 Plus forPECVD, PECVD
 SF-100ND Rhabdos Co., Ltd. SF-100ND Spin coater
Polyimide Sigma-Aldrich 575771 Poly(pyromellitic dianhydride-co-4,4′-oxydianiline), amic acid solution
SOI (silicon on insulator) wafer, 8inch Soitec SOI (silicon on insulator) wafer, 8inch 8inch SOI Wafer (silicon Thickness: 1.25μm)
Acetone Duksan Pure Chemicals Co., Ltd. 3051 Acetone
Isopropyl Alcohol (IPA) Duksan Pure Chemicals Co., Ltd. 4614 Isopropyl Alcohol (IPA)
Buffered Oxide Etch 6:1 Avantor 1278 Buffered Oxide Etch 6:1
HSD150-03P Misung Scientific Co., Ltd HSD150-03P Hot plate
AZ5214 Microchemical AZ5214 Photoresist
MIF300 Microchemical MIF300 Developer
SYLGARD184 Dow Corning SYLGARD184 Polydimethylsiloxane elastomer
Hydrofluoric Acid  Duksan Pure Chemicals Co., Ltd. 2919 Hydrofluoric Acid 
CR-7 KMG Chemicals, Inc 210023 Chrome mask etchant
MFCD07370792 Sigma-Aldrich 651842 Gold etchant

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Citazione di questo articolo
Kim, H. M., Lee, G. J., Kim, M. S., Song, Y. M. Fabrication of Flexible Image Sensor Based on Lateral NIPIN Phototransistors. J. Vis. Exp. (136), e57502, doi:10.3791/57502 (2018).

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