一个用溅射制备有序合金的外延层方法。在B2有序化的FeRh的化合物用作一个例子,因为它显示一个磁转变是敏感地依赖于化学顺序和合金的确切组成的程度。
化学有序合金是在各种磁性纳米技术是有用的。他们正在使用溅射技术,最方便地制备以工业规模。在这里,我们描述了通过溅射沉积制备外延薄膜B2有序化的FeRh的到单晶氧化镁基片的方法。沉积速率较慢到加热的衬底使得时间的吸附原子既解决成晶格与衬底良好定义的外延关系,同时也发现其位在B2结构的铁和Rh亚晶格。该结构被方便地采用X射线反射和衍射,并直接使用透射电子显微照片的横截面可以被可视化。 B2有序化的FeRh表现出不同寻常的变磁相变:基态是反铁磁但合金转变成一个铁磁体加热约380 K的典型转变温度这是伴随着1%体积膨胀的单元电池:各向同性的散装的,但横向夹紧在一个外延层。反铁磁性基态和相应的第一阶相变的存在,是正确的等原子的化学计量和正确B2订货非常敏感,并因此是一种方便的手段,以证明可被沉积,这种方法的层的质量。我们还给出了它的相位变化可以被检测的各种技术的一些例子。
微电子工业的中心范式是平面加工的方法:在连续沉积和薄膜基片材料的晶片的表面上的图案形成。很多时候,衬底是单晶,并且膜需要是外延 ,即在晶体寄存器说与下层衬底。与半导体材料,这通常是实现无论是在实验室设置1或金属有机气相外延(MOVPE)在制造2使用分子束外延(MBE)。
而金属通过MBE外延生长是可能的,所以很容易通过溅射沉积,这是对在研究和工业设置薄磁膜的沉积的最常用方法。在某些条件下,而此方法通常用多晶膜,外延生长的单晶衬底上生长相关联是可能的<s了> 3。这些通常包括一个凸起的基板温度(至少对于初始层),缓慢的沉积速率,以及低真空室基本压力。这种方法已被用于,制备巨磁阻多层材料4,5为实例。
在我们自己的实验室中,我们使用外延溅射制备的单晶衬底各种磁性材料。它一直未能生长由CoFe合金外延在GaAs(001),例如,通过选择晶格匹配的钴70铁30的组合物6。这种材料是一种固溶体,其中Co和Fe原子随机填充体心立方晶格位置。我们也增加了化学有序磁性合金,其中不同的原子种类需要占用特定的晶格位置。生长协议,我们将在这里描述最初是为L1 0有序FePd和铁铂合金,这是权益S的成长发展因斯它们具有非常高的磁晶各向异性7。我们已经研究了弹道导弹扩散和自旋极化输运8,9和反常霍尔效应10在这些材料,这是可比的质量由11 MBE生长层之间的关系。
在这里,我们将使用B2有序化的FeRh外延层的例子说明我们的外延生长方法。 Fe和铑会形成合金的任何组合物中,但是一个B2有序的化合物是在近等原子比范围49-53%原子的Fe 12为化学计量的平衡状态。这个所谓的α“ –相是反铁磁(AF),展品加热一阶相变,变成的α'相铁磁(FM)周围T T = 350→400K 13,14,15。两种不同的,但两者完全有序的磁场状态(II型自动对焦16和FM)之间的这种变磁转变伴随各向同性1%的体积膨胀在B2格17,18,一个大的熵释放19时,大颗粒的电阻14,和一个大的增加,载流子浓度20。中子衍射21,16和最近XMCD测量22表示3.3μ 乙磁矩在AF相位中心的铁被转移到的Rh在FM相的那一部分,与μ 铁 〜2.2μB和μRH〜0.6μ乙 。居里温度为FMα'相是〜670ķ14,比得上合金的居里温度,其中x> 0.53 23。的磁转变温度T T是该组合物×高度敏感的铁铑×1 – ×23,24,并 且通过施加磁网络连接的〜8 K / T抑制高龄25,15。这种丰富的物理行为阵列关键取决于实现适当B2有序结构,因此允许多种测量技术进行部署,以检测适当的化学有序的标本,使其成为一个方便的例子来说明越来越多的方法高质量有序合金外延层。
在这里,我们已经证明,该方法可以用来制备的FeRh的外延层样品的良好的晶体质量和B2的化学有序度很高。该方法适用于各种各样的外延金属层,包括有序合金的制备。虽然我们已经使用了B2有序化的FeRh的合金,例如,在这里,因为它显示了显着的相变时,该化学计量是正确的,化学订货存在,也可用于其它材料的这种方法。例如,既FePd和的FePt具有L1 0相,这导致了非常强单轴磁各向异性。我们已经成功地生长这种材料在过去,显示的FePt 8畴壁阻力,并在这两个FePd和铁铂10大反常霍尔效应。随着生长温度和速率,并适当选择基板的适当调整,这种方法应该是用于制备多种DIF有用ferent磁性和非磁性金属外延层显示化学顺序。
然而,这种方法的一个限制是需要的单晶衬底,实现外延。这意味着困难将进行实验,如平面图透射电子或X射线显微术或融合成建了衬底晶片等近无处不在硅上的技术会遇到。要解决这个问题的一个可能的方法是长出薄薄MgO层在其上的FeRh然后可以沉积。这可以产生出的平面纹理成核局部外延生长每个氧化镁颗粒37的上方。值得注意的是,有可能使用一种方法,用离子束以生长薄的MgO层,同时具有(001)织构和面内上形成非晶表面的晶体取向协助被定向在45°到衬底法线38枪。这可能会允许B2有序化的FeRh对如电子或X射线吨增长ransparent的Si 3 N 4膜,其能够存活在我们的协议所需的高生长温度下进行,或者在Si晶片的原生氧化层上。
该方法的进一步的改进包括采用B2有序的底层,如NiAl金属39,以促进B2排序中的FeRh外延层当它被极薄,或者其用途建立涉及多个化学有序层37的异质结构。由于可以的FeRh掺杂在Rh现场调整转变温度T T了(例如使用铱40,41或Pt 40,42)或向下( 例如使用金40,27或Pd 40,43),创造中的FeRh层的掺杂分布可导致设计,在磁访问作为样品被加热和冷却。这开辟了在生成外延层的纯磁分层在一个可控的方式44的路由。
The authors have nothing to disclose.
这项工作是由英国工程和物理科学研究理事会下的授权号EP/G065640/1和由美国国家科学基金会的支持下,授权号DMR-0908767 [ML和LHL]和授权号DMR-0907007 [DH]。
Name of Reagent/Material | Company | Catalog Number | Comments |
Sputter Deposition System | Kurt J. Lesker Company | Bespoke | |
MgO Single Crystal Substrate | Pi-Kem | Single-sided epi-polished | (001) orientation |
FeRh sputtering target | Pi-Kem | Bespoke | 50 mm diameter |
Transmission Electron Microscope | FEI | Tecnai TF20 | |
X-ray Diffractometer | Brüker | D8 Discover | |
SQUID Magnetometer | Quantum Design | MPMS-XL 5 |