Summary

Проектирование, изготовление, и экспериментальная характеристика Плазмонных Фотопроводящий излучателей терагерцового

Published: July 08, 2013
doi:

Summary

Мы описываем методы проектирования, изготовления и экспериментальной характеристике плазмонных фотопроводящими излучателей, которые предлагают два порядка более высоких уровнях терагерцового мощность по сравнению с фотопроводящими излучателей.

Abstract

В этом видео статье мы приводим детальное обоснование высокоэффективного способа генерации терагерцового волн. Наша методика основана на фотопроводимости, который был одним из наиболее часто используемых методов для терагерцового поколения 1-8. Терагерцового поколения в фотопроводящую излучателя достигается путем закачки сверхбыстрых фотобарабан с импульсным или гетеродинирована лазерной подсветкой. Индуцированный фототок, который следует за конвертом лазера накачки, направляется на терагерцового излучающей антенны соединен с электродами, фотобарабан для создания контакта терагерцового излучения. Хотя квантовая эффективность фотопроводящую эмиттером теоретически может достигать 100%, относительно длинный путь транспортировки длины фото генерируемых носителей к контактным электродам обычными фотопроводниками серьезно ограничивает их квантовую эффективность. Кроме того, эффект скрининга носителей и теплового пробоя строго ограничить максимальную P ВыходАуэр обычных фотопроводящими источников терагерцового. Для решения квантового ограничения эффективности обычных фотопроводящими излучателей терагерцового, мы разработали новую концепцию фотопроводящими излучатель, который включает в плазмонных конфигурации контакта электрода для обеспечения высокой квантовой эффективностью и сверхбыстрого строя одновременно. При использовании нано-плазмонных контактными электродами, мы существенно уменьшить среднюю фото генерируемые переноса носителей путь к электродам фотопроводника контакта по сравнению с обычными фоторезисторов 9. Наш метод также позволяет повысить фотопроводника активную область без значительного увеличения емкостной нагрузки к антенне, повышение максимальной мощности терагерцового излучения, предотвращая эффект скрининга носителей и тепловому разрушению при высокой оптической мощности накачки. Путем включения плазмонных контактные электроды, мы демонстрируют повышение оптико-терагерцового преобразования энергии эффективности обычного фотопроводящего теrahertz излучатель на коэффициент 50 10.

Introduction

Мы представляем новый фотопроводящими терагерцового излучателя, который использует конфигурацию плазмонных контакта электрода для повышения оптико-терагерцового эффективность преобразования на два порядка величины. Наша методика рассматривает наиболее важные ограничения традиционных фотопроводящими терагерцового излучателей, а именно низкую выходную мощность и низкая эффективность власти, которые происходят от присущего компромисс между высокой квантовой эффективностью и сверхбыстрых работой обычных фотопроводниками.

Одним из ключевых новинкой в ​​нашей конструкции, которые привели к этому повышение производительности скачок является создание конфигурации контактного электрода, который накапливается большое количество фото генерируемые носители в непосредственной близости к контактным электродам, так что они могут быть собраны в суб- пикосекундном сроки. Иными словами, соотношение между фотопроводника операции сверхбыстрых и высокую квантовую эффективность снижается за счет пространственной манипуляции с фото-родовТед перевозчиков. Плазмонных контактные электроды предложить эту уникальную возможность, (1) позволяет свету заключении в наноразмерных устройств активной области между электродами плазмонных (за дифракционный предел), (2) необычный свет усиления при контакте металла и фото-поглощающие полупроводник 10, 11. Другой важной особенностью нашего решения является то, что он вмещает большой фотобарабан активных областей без значительного увеличения в паразитной нагрузкой до терагерцового излучающей антенны. Используя большой фотобарабан активных областей включите смягчения эффекта скрининга носителей и теплового пробоя, которые являются конечными ограничения на максимальную мощность излучения от обычных фотопроводящими излучателей. Это видео статья сосредоточена на уникальные атрибуты нашего представленное решение, описывая руководящих физике, численного моделирования и экспериментальной проверки. Мы экспериментально продемонстрировать 50 раз выше терагерцового полномочий от плазмонных фотоoconductive излучателя по сравнению с аналогичным фотопроводящими излучатель с не-плазмонных контактными электродами.

Protocol

1. Плазмонных Фотопроводящий Изготовление излучателя Изготовление плазмонных решетки. Очистка полупроводниковых пластин путем погружения в ацетоне (2 мин), а затем изопропанол (2 мин) и промывки деионизованной водой (10 сек). Высушите образца азотом и нагреть его на плите …

Representative Results

Чтобы продемонстрировать потенциальным плазмонных электродов для повышения мощности терагерцового, были изготовлены два терагерцового излучателей: обычный (рис. 1а) и плазмонных (рис. 1б) фотопроводящими эмиттером включения плазмонных контактные электроды для сокр?…

Discussion

В этом видео статье мы представляем новый фотопроводящими технику терагерцового поколения, который использует конфигурацию плазмонных контакта электрода для повышения оптико-терагерцового эффективность преобразования на два порядка величины. Значительное увеличение мощности изл?…

Divulgations

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

Авторы хотели бы поблагодарить за предоставление Picometrix LT-GaAs подложке и благодарят за финансовую поддержку из Мичигана космических грантов консорциума, DARPA премия для молодых факультет руководством д-ра Джона Альбрехт (Договор № N66001-10-1-4027), NSF КАРЬЕРА Премия руководством д-ра Самира аль-Газали (Договор № N00014-11-1-0096), ОНР премия для молодых следователь руководством д-ра Пола Маки (Договор № N00014-12-1-0947), а ARO премия для молодых следователь управляемых Доктор Палмер Dev (Договор № W911NF-12-1-0253).

Materials

      Reagent
Polymethyl Methacrylate (PMMA) MicroChem 950K PMMA A4  
Hexamethyldisilazane (HMDS) Shin-Etsu MicroSI MicroPrime HP Primer  
Optical Photoresist Dow Chemical Megaposit SPR 220-3.0  
Photoresist Developer AZ Electronic Materials AZ 300 MIF Developer  
Methyl Iso-Butyl Keytone (MIBK) Avantor Performance Materials 9322-03  
      Equipment
Ti:Sapphire Mode-Locked Laser Coherent MIRA 900D V10 XW OPT 110V  
Pyroelectric Detector Spectrum Detector SPI-A-65 THz  
Electron-Beam Lithography Tool JEOL JBX-6300-FS  
Plasma Stripper Yield Engineering Systems YES-CV200RFS  
Metal Evaporator Denton Vacuum SJ-20  
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Tool GSI GSI PECVD System  
Projection Lithography Stepper GCA AutoStep 200  
Reactive Ion Etcher LAM Research 9400  
Parameter Analyzer Hewlett Packard 4155A  
Optical Chopper Thorlabs MC2000  
Lock-in Amplifier Stanford Research Systems SR830  
Electrooptic Modulator Thorlabs EO-AM-NR-C2  
Motorized Linear Stage Thorlabs NRT100  

References

  1. Preu, S., Dohler, G. H., Malzer, S., Wang, L. J., Gossard, A. C. Tunable, continuous-wave terahertz photomixer sources and applications. J. Appl. Phys. 109, 061301 (2011).
  2. Bjarnason, J. E., Chan, T. L. J., Lee, A. W. M., Brown, E. R., Driscoll, D. C., Hanson, M., Gossard, A. C., Muller, R. E. ErAs:GaAs photomixer with two-decade tunability and 12 μW peak output power. Appl. Phys. Lett. 85, 3983-3985 (2004).
  3. Peytavit, E., Lepilliet, S., Hindle, F., Coinon, C., Akalin, T., Ducournau, G., Mouret, G., Lampin, J. -. F. Milliwatt-level output power in the sub-terahertz range generated by photomixing in a GaAs photoconductor. Appl. Phys. Lett. 99, 223508 (2011).
  4. Upadhya, P. C., Fan, W., Burnett, A., Cunningham, J., Davies, A. G., Linfield, E. H., Lloyd-Hughes, J., Castro-Camus, E., Johnston, M. B., Beere, H. Excitation-density-dependent generation of broadband terahertz radiation in an asymmetrically excited photoconductive antenna. Opt. Lett. 32, 2297-2299 (2007).
  5. Roehle, H., Dietz, R. J. B., Hensel, H. J., Böttcher, J., Künzel, H., Stanze, D., Schell, M., Sartorius, B. Next generation 1.5 μm terahertz antennas: mesa-structuring of InGaAs/InAlAs photoconductive layers. Opt. Express. 18, 2296-2301 (2010).
  6. Taylor, Z. D., Brown, E. R., Bjarnason, J. E. Resonant-optical-cavity photoconductive switch with 0.5 % conversion efficiency and 1.0W peak power. Opt. Lett. 31, 1729-1731 (2006).
  7. Park, S. -. G., Jin, K. H., Yi, M., Ye, J. C., Ahn, J., Jeong, K. -. H. Enhancement of Terahertz Pulse Emission by Optical Nanoantenna. ACS NANO. 6, 2026-2031 (2012).
  8. Auston, D. H., Cheung, K. P., Smith, P. R. Picosecond photocoducting Hertzian dipoles. Appl. Phys. Lett. 45, 284-286 (1984).
  9. Berry, C. W., Jarrahi, M. Terahertz generation using plasmonic photoconductive gratings. New Journal of Physics Focus Issue on Terahertz Plasmonics. 14, 105029 (2012).
  10. Berry, C. W., Hashemi, M. R., Unlu, M., Jarrahi, M. Significant Radiation Enhancement in Photoconductive Terahertz Emitters by Incorporating Plasmonic Contact Electrodes. arXiv. , 1209.1680v1 (2012).
  11. Berry, C. W., Jarrahi, M. Ultrafast Photoconductors based on Plasmonic Gratings. Proc. Int. Conf. Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. , 1-2 (2011).
  12. Berry, C. W., Jarrahi, M. Plasmonically-enhanced localization of light into photoconductive antennas. Proc. Conf. Lasers and Electro-Optics. , CFI2 (2010).
  13. Berry, C. W., Jarrahi, M. Principles of impedance matching in photoconductive antennas. Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz. , (2012).
  14. Ralph, S. E., Grischkowsky, D. Trap-enhanced electric fields in semi-insulators: The role of electrical and optical carrier injection. Appl. Phys. Lett. 59, 1972 (1991).
  15. Upadhya, P. C., Fan, W., Burnett, A., Cunningham, J., Davies, A. G., Linfield, E. H., Lloyd-Hughes, J., Castro-Camus, E., Johnston, M. B., Beere, H. Excitation-density-dependent generation of broadband terahertz radiation in an asymmetrically excited photoconductive antenna. Opt. Lett. 32, 2297-2299 (2007).
  16. Taylor, Z. D., Brown, E. R., Bjarnason, J. E. Resonant-optical-cavity photoconductive switch with 0.5 % conversion efficiency and 1.0W peak power. Opt. Lett. 31, 1729-1731 (2006).
  17. Jarrahi, M. Terahertz radiation-band engineering through spatial beam-shaping. Photonic Technology Letters. 21, 2019620 (2009).
  18. Jarrahi, M., Lee, T. H. High power tunable terahertz generation based on photoconductive antenna arrays. Proc. IEEE International Microwave Symposium. , 391-394 (2008).
  19. Beck, M., Schafer, H., Klatt, G., Demsar, J., Winnerl, S., Helm, M., Dekorsy, T. Impulsive terahertz radiation with high electric fields from an amplifier-driven large-area photoconductive antenna. Opt. Express. 18, 9251-9257 (2010).
  20. Hattori, T., Egawa, K., Ookuma, S. I., Itatani, T. Intense terahertz pulses from large-aperture antenna with interdigitated electrodes. Jpn. J. Appl. Phys. 45, L422-L424 (2006).
  21. Kim, J. H., Polley, A., Ralph, S. E. Efficient photoconductive terahertz source using line excitation. Opt. Lett. 30, 2490-2492 (2005).
  22. Dreyhaupt, A., Winnerl, S., Dekorsy, T., Helm, M. High-intensity terahertz radiation from a microstructured large-area photoconductor. Appl. Phys. Lett. 86, 121114 (2005).
  23. Brown, E. R., Lee, A. W. M., Navi, B. S., Bjarnason, J. E. Characterization of a planar self-complementary square-spiral antenna in the THz region. Microwave Opt. Technol. Lett. 48, 524-529 (2006).
  24. Huo, Y., Taylor, G. W., Bansal, R. Planar log-periodic antennas on extended hemishperical silicon lenses for millimeter/submillimeter wave detection applications. Int. J. Infrared and Millimeter Waves. 23, 819 (2002).
  25. Heshmat, B., Pahlevaninezhad, H., Pang, Y., Masnadi-Shirazi, M., Lewis, R. B., Tiedje, T., Gordon, R., Darcie, T. E. . Nanoplasmonic Terahertz Photoconductive Switch on GaAs. Nano Lett. 12, 6255-6259 (2012).
  26. Berry, C. W., Hashemi, M. R., Unlu, M., Jarrahi, M. Significant Performance Enhancement in Photoconductive Terahertz Optoelectronics by Incorporating Plasmonic Contact Electrodes. Nature Communications. 4, 1622 (2013).
  27. Wang, N., Berry, C. W., Hashemi, M. R., Jarrahi, M. Plasmonic photoconductive detectors for enhanced terahertz detection sensitivity. Optics Express. , (2013).
  28. Hsieh, B. -. Y., Jarrahi, M. Analysis of periodic metallic nano-slits for efficient interaction of terahertz and optical waves at nano-scale dimensions. J. Appl. Phys. 109, 084326 (2011).
  29. Hsieh, B. -. Y., Wang, N., Jarrahi, M. Toward Ultrafast Pump-Probe Measurements at the Nanoscale. Special Issue of “Optics in 2011. Optics & Photonics News. 22, (2011).
  30. Hsieh, B. -. Y., Jarrahi, M. Simultaneous focusing of terahertz and optical waves into nano-scale. Proc. Int. Conf. Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. , 1-2 (2011).
  31. Jackson, A. W., Ibbetson, J. P., Gossard, A. C., Mishra, U. K. Reduced thermal conductivity in low-temperature grown GaAs. Appl. Phys. Lett. 74, 2325-2327 (1999).

Play Video

Citer Cet Article
Berry, C., Hashemi, M. R., Unlu, M., Jarrahi, M. Design, Fabrication, and Experimental Characterization of Plasmonic Photoconductive Terahertz Emitters. J. Vis. Exp. (77), e50517, doi:10.3791/50517 (2013).

View Video