Journal
/
Ingeniería
/
بمساعدة البلازما الجزيئية شعاع إبيتاز من InAlN من العوائق الترانزستور عالية الإلكترون التنقل N-القطبية
JoVE Revista
Ingeniería
Se requiere una suscripción a JoVE para ver este contenido.  Inicie sesión o comience su prueba gratuita.
JoVE Revista Ingeniería
Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

بمساعدة البلازما الجزيئية شعاع إبيتاز من InAlN من العوائق الترانزستور عالية الإلكترون التنقل N-القطبية

DOI:
10.3791/54775-v

•

10:31 min

•

November 24, 2016

•

, , , , ,
1NRC Postdoctoral Scholar,Naval Research Laboratory, 2Electronics Science and Technology Division,Naval Research Laboratory

Capítulos

  • 00:05Título
  • 00:53RF-assisted Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) System and Sample Preparation
  • 04:36N-polar InAIN-barrier High-electron-mobility Transistor (HEMT) Growth
  • 08:03Results: N-polar InAIN-barriers High-electron-mobility Transistors Grown with PAMBE
  • 09:30Conclusion

Summary

Traducción Automática

Traducción Automática

يستخدم الجزيئية تناضد شعاع لزراعة N-القطبية الترانزستورات InAlN من الحواجز العالية الإلكترون التنقل (HEMTs). السيطرة على إعداد ويفر، وظروف نمو طبقة والهيكل الفوقي النتائج في سلسة، وطبقات InAlN متجانسة بشكل إنشائي وHEMTs مع حركية عالية مثل 1750 سم 2 / V ∙ ثانية.

Tags

Keywords: Plasma-assisted Molecular Beam EpitaxyN-polar InAlN-barrier High-electron-mobility TransistorsSemiconductor MaterialsWide Bandgap TransistorsGallium Nitride SubstrateOutgassingSubstrate Transfer

Article

Embed

Añadir a la lista de reproducción

Usage Statistics

Videos relacionados

check_url/es/54775?article_type=v

الجزيئية الطيف الكتلي مع الحزمة الانضباطي الإشعاع فوق البنفسجي فراغ السنكروترون (VUV)
check_url/es/54775?article_type=v

الفصل المكاني للمتشكلات الجزيئية والتجمعات
check_url/es/54775?article_type=v

قياس الأشعة السينية شعاع بالاتساق على طول الاتجاهات متعددة باستخدام 2-D شطرنج المرحلة المشبك
check_url/es/54775?article_type=v

أنواع جديدة والتوافر الحيوي قياسات البلوتونيوم البيئة عن طريق الإنتشار في أغشية رقيقة
check_url/es/54775?article_type=v

تأثير الانحناء على الخصائص الكهربائية من الترانزستورات مجال التأثير على أساس الكريستال مرنة عضوي واحدة
check_url/es/54775?article_type=v

تركيز أيون شعاع تلفيق نانوباتيريس ليبون-على أساس الحالة الصلبة بطارية ليثيوم أيون للاختبار في الموقع

check_url/es/54775?article_type=v

تصنيع شوتكي الثنائيات في هيتيروستروكتوري بيمجزنو/أكسيد الزنك Zn القطبية نمت تنضيد الحزمة الجزيئية مساعدة البلازما
check_url/es/54775?article_type=v

الطباعة الحجرية شعاع الإلكترون نانومتر ذات الأرقام المفردة مع مجهر إلكتروني انتقال المسح ضوئي لتصحيح الانحراف
check_url/es/54775?article_type=v

إعداد شعاع ايون نقي 229للدراسات من 229mال
check_url/es/54775?article_type=v

عرض على توليد شعاع متساوي الكثافة بواسطة الأسطح الانسيابية

Read Article