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Epitaxial Nanostructured α-Quartz Films on Silicon: From the Material to New Devices
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シリコン上のエピタキシャルナノ構造α-クオーツフィルム:材料から新しいデバイスへ

DOI:
10.3791/61766-v

•

11:34 min

•

October 06, 2020

•

, , , ,
1Institut d’Electronique et des Systemes (IES), CNRS,Université de Montpellier

Kapitel

  • 00:05Introduction
  • 00:54Preparation of PDMS Templates and Gel Film Deposition on SOI Substrates by Dip-Coating
  • 02:55Surface Micro/Nanostructuration by Soft Imprint Lithography and Gel Film Crystallization by Thermal Treatment
  • 04:00Preparing and Patterning of the Quartz Samples for the Cantilever Microfabrication Process
  • 08:49Results: Qualitative Analysis of the Progressive Epitaxial Nanostructured α-Quartz Film Thickness Developed on Silicon
  • 10:20Conclusion

Summary

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この研究は、シリコン・オン・インシュレーター(SOI)技術基板上のナノ構造α石英カンチレバーの微細加工に関する詳細なプロトコルを、ディップコーティング法による石英膜のエピタキシャル成長から始め、ナノインプリントリソグラフィを介した薄膜のナノ構造化に関する詳細なプロトコルを提示する。

Tags

Keywords: EpitaxialNanostructuredAlpha-quartzSiliconQuartz-based SensorsMiniaturizationMonolithic IntegrationChemical IntegrationEpitaxial RequirementsMicrocantileversActive Microelectromechanical SystemLead-free Piezoelectric Oxide MaterialsMass SensitivityPDMSSOI SubstrateDip CoatingGel FilmMicro/nanostructure

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