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Effetto di piegare sulle caratteristiche elettriche di transistor ad effetto di campo basati su cristallo Flexible Organic singolo
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Kapitel
- 00:05Titel
- 00:43Grow Single Crystals of TCDAP Using a Physical Vapor Transfer (PVT) System
- 01:43Device Fabrication
- 04:09Measure the Performance of the Device and Bending Experiments
- 05:32Results: Measuring Properties of Bent Organic Electronic Devices
- 06:38Conclusion
Questo manoscritto descrive il processo di piegatura di un singolo transistor a effetto di campo a base di cristallo organica di mantenere un dispositivo funzionante, per la misura di proprietà elettroniche. I risultati suggeriscono che provoca flessione cambiamenti nella spaziatura molecolare nel cristallo e quindi del tasso salti di carica, che è importante in elettronica flessibili.
