/
/
تأثير الانحناء على الخصائص الكهربائية من الترانزستورات مجال التأثير على أساس الكريستال مرنة عضوي واحدة
Zum Anzeigen dieser Inhalte ist ein JoVE-Abonnement erforderlich. Melden Sie sich an oder starten Sie Ihre kostenlose Testversion.
Kapitel
- 00:05Titel
- 00:43Grow Single Crystals of TCDAP Using a Physical Vapor Transfer (PVT) System
- 01:43Device Fabrication
- 04:09Measure the Performance of the Device and Bending Experiments
- 05:32Results: Measuring Properties of Bent Organic Electronic Devices
- 06:38Conclusion
توضح هذه المخطوطة عملية الانحناء لالقائم على الكريستال واحد حقل التأثير الترانزستور العضوي للحفاظ على جهاز سير لقياس خاصية الإلكترونية. وتشير النتائج إلى أن أسباب الانحناء التغييرات في تباعد الجزيئي في وضوح الشمس، وبالتالي في معدل التنقل تهمة، وهو أمر مهم في مجال الالكترونيات مرنة.
