Здесь мы представляем протокол для осаждения оксидов ниобия путем реактивного распыления с различными тарифами потока кислорода для использования в качестве электронного транспортного слоя в перовскитных солнечных элементах.
Реактивный распыление является универсальным методом, используемым для формирования компактных пленок с отличной однородностью. Кроме того, это позволяет легко контролировать параметры осаждения, такие как скорость потока газа, что приводит к изменениям по составу и, таким образом, в пленке требуются свойства. В этом отчете реактивное распыление используется для депонирования оксидов ниобия. Цель ниобия используется в качестве источника металла и различных ставок потока кислорода для депонировании оксидов ниобия. Скорость потока кислорода была изменена с 3 до 10 скм. Пленки, отложенные при низких уровнях подачи кислорода, показывают более высокую электрическую проводимость и обеспечивают лучшие перовскитные солнечные элементы при использовании в качестве слоя электронного транспорта.
Техника распыления широко используется для депонирования высококачественных пленок. Его основное применение в полупроводниковой промышленности, хотя он также используется в поверхностном покрытии для улучшения механических свойств, и отражающие слои1. Основным преимуществом распыления является возможность депонирования различных материалов на различных субстратах; хорошая воспроизводимость и контроль над параметрами осаждения. Техника распыления позволяет осаждения однородных пленок, с хорошей сливкой на больших площадях и при недорогой цене по сравнению с другими методами осаждения химических паров (CVD), молекулярной эпитаксии пучка (MBE) и осаждением атомного слоя (ALD) 1,2. Как правило, полупроводниковые пленки, отложенные при распылении, являются аморфными или поликристаллическими, однако, есть некоторые сообщения о росте эпитаксиального путем распыления3,4. Тем не менее, процесс распыления очень сложный и диапазон параметра широк5,поэтому для достижения высококачественных пленок для каждого материала необходимо хорошее понимание процесса и оптимизация параметров.
Есть несколько статей, сообщающих о осаждении оксида ниобия пленки распыления, а также ниобий нитрида6 и ниобия карбида7. Среди Nb-оксидов пентоксид ниобия (Nb2O5) является прозрачным, воздушно-стабильным и водорастворимым материалом, который обладает обширным полиморфизмом. Это n-тип полупроводника с диапазоном разрыв значения в диапазоне от 3,1 до 5,3 eV, давая эти оксиды широкий спектр приложений8,9,10,11,12,13 ,14,15,16,17,18,19. Nb2O5 привлек значительное внимание как перспективный материал, который будет использоваться в перовскитных солнечных элементах из-за его сопоставимой эффективности инъекций электрона и лучшей химической стабильности по сравнению с диоксидом титана (TiO2). Кроме того, разрыв полосы Nb2O5 может улучшить напряжение открытого контура (Voc) клеток14.
В этой работе Nb2O5 откладывался реактивным распылением при различных показателях потока кислорода. При низких уровнях потока кислорода проводимость пленок была увеличена без применения допинга, что вводит примеси в систему. Эти пленки использовались в качестве электронного транспортного слоя в перовскитных солнечных элементах, улучшая производительность этих элементов. Выяснилось, что уменьшение количества кислорода приводит к образованию кислородных вакансий, что повышает проводимость пленок, ведущих к солнечным клеткам с большей эффективностью.
Пленки оксида ниобия, подготовленные в этой работе, использовались в качестве электронного транспортного слоя в перовскитных солнечных элементах. Наиболее важной характеристикой, необходимой для электронного транспортного слоя, является предотвращение рекомбинации, блокирование о?…
The authors have nothing to disclose.
Работа была поддержана Фондом ампаро-де-Пескиса-ду-Эстадо де Сан-Паулу (FAPESP), Центр де Desenvolvimento де Materiais Cer’micos (CDMF- ФАПЕСП No 2013/07296-2, 2017/11072-3, 2013/09963-6 и 2017/18916-2). Особая благодарность профессору Максимо Сиу Ли за измерения PL.
2-propanol | Merck | 67-63-0 | solvent with maximum of 0.005% H2O |
4-tert-butylpyridine | Sigma Aldrich | 3978-81-2 | chemical with 96% purity |
acetonitrile | Sigma Aldrich | 75-05-8 | anhydrous solvent , 99.8% purity |
bis(trifluoromethane)sulfonimide lithium salt | Sigma Aldrich | 90076-65-6 | chemical with ≥99.95% purity |
chlorobenzene | Sigma Aldrich | 108-90-7 | anhydrous solvent , 99.8% purity |
ethanol | Sigma Aldrich | 200-578-6 | solvent |
Fluorine doped tin oxide (SnO2:F) glass substrate | Solaronix | TCO22-7/LI | substrate to deposit films |
Kaptom tape | Usinainfo | 04227 | thermal tape used to cover the substrates |
Kurt J Lesker magnetron sputtering system | Kurt J Lesker | —— | Sputtering equipment used to deposit compact films |
Lead (II) iodide | Alfa Aesar | 10101-63-0 | PbI2 salt- 99.998% purity |
methylammonium iodide | Dyesol | 14965-49-2 | CH3NH3I salt |
N2,N2,N2′,N2′,N7,N7,N7′,N7′-octakis (4-methoxyphenyl)-9,9′-spirobi [9H-fluorene]-2,2′,7,7′-tetramine | Sigma Aldrich | 207739-72-8 | Spiro-OMeTAD salt, 99% purity |
Niobium target of 3” | CBMM- Brazilian Metallurgy and Mining Company | —— | niobium sputtering target used in the sputtering system |
N-N dimethylformamide | Merck | 68-12-2 | solvent with maximum of 0.003% H2O |
TiO2 paste | Dyesol | DSL 30NR-D | titanium dioxide paste |
tris(2-(1H-pyrazol-1-yl)-4-tert-butylpyridine)cobalt(III) tri[bis(trifluoromethane)sulfonimide] | Dyesol | 329768935 | FK 209 Co(III) TFSL salt |