Journal
/
工程学
/
Calcul théorique et vérification expérimentale pour la réduction de la dislocation dans les couches épitaxiales de germanium avec vides semi-cylindriques sur silicium
JoVE 杂志
工程学
需要订阅 JoVE 才能查看此.  登录或开始免费试用。
JoVE 杂志 工程学
Theoretical Calculation and Experimental Verification for Dislocation Reduction in Germanium Epitaxial Layers with Semicylindrical Voids on Silicon
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

Calcul théorique et vérification expérimentale pour la réduction de la dislocation dans les couches épitaxiales de germanium avec vides semi-cylindriques sur silicium

DOI:
10.3791/58897-v

•

06:57 min

•

July 17, 2020

•

, , ,
1Department of Materials Engineering,The University of Tokyo, 2Department of Electrical and Electronic Information Engineering,Toyohashi University of Technology, 3Department of Materials Science and Engineering,Massachusetts Institute of Technology

Chapters

  • 00:04Introduction
  • 00:34Experimental Verification Procedure
  • 04:29Results: Reduction of Threading Dislocation Density in Germanium Epitaxial Layers with Semicylindrical Voids on Silicon
  • 06:12Conclusion

Summary

自动翻译

自动翻译

Le calcul théorique et la vérification expérimentale sont proposés pour une réduction de la densité de dislocation du filetage (TD) dans les couches épitaxiales de germanium avec des vides semi-cylindriques sur silicium. Les calculs basés sur l’interaction des TD et de la surface via la force d’image, les mesures TD et les observations de TD au microscope électronique à transmission sont présentés.

Tags

Dislocation ReductionGermanium Epitaxial LayersSemicylindrical VoidsSiliconThreading Dislocation DensitySelective Epitaxial GrowthBoron-doped P-siliconSilicon DioxidePhotoresistBuffered Hydrofluoric AcidGermanium Growth

Article

Embed

添加到播放列表

Usage Statistics

Related Videos

Base de silicium polycristallin à couche mince des cellules solaires avec plasmonique amélioré par Light-piégeage

Monocouche Contactez-dopage du silicium Surfaces et nanofils utilisant des composés organophosphorés

Selective Area Modification de la Silicon mouillabilité de surface par irradiation laser pulsé UV en milieu liquide

Intégration de la Lumière de piégeage argent Nanostructures dans hydrogénée microcristalline cellules solaires en silicium par impression par transfert

Quantification des concentrations d'hydrogène dans des surfaces et interfaces des couches et des matériaux en vrac par le biais de profils en profondeur avec l'analyse de la réaction nucléaire

SSVEP basé procédure expérimentale pour Brain-Robot Interaction avec des robots humanoïdes

Méthodes expérimentales de Spin - et Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy combiné avec polarisation Variable Laser

Méthodes Ex Situ et In Situ des enquêtes des Transformations structurelles : le cas de la cristallisation des verres métalliques

Fabrication de Nanostructures magnétiques sur les Membranes de nitrure de silicium pour les études de Vortex magnétique en utilisant des Techniques de microscopie de Transmission

Une plate-forme silicium pointe fibre optique télédétection haute résolution et une réponse rapide

Read Article